질문하실 때 실명을 사용하여주세요.
2010.11.25 15:38
플라즈마에 관심있으신 모든 분이 활용하고 플라즈마의 지식을 공유할수 있는 공간을 제공한다라는 원칙을 갖고 있습니다. 따라서 의견을 개진 하실 때는 자신의 이름을 분명히 밝혀주셔야 합니다. 그럼으로써 서로 알고 있는 플라즈마의 지식을 자유롭게 공유할 수 있을 것 입니다. 이 사항을 협조하여 주지기 바랍니다. 본인의 이름을 밝히지 않는 사람의 의견은 일주일 이내에 내용이 삭제됩니다.
댓글 3
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [278] | 76897 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20289 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57207 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68760 |
| » | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92719 |
| 598 | [Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련] [3] | 2822 |
| 597 | 매칭시 Shunt와 Series 값 [1] | 1886 |
| 596 | RF Power와 균일도 연관성 질문드립니다. [2] | 3369 |
| 595 |
구 대칭으로 편광된 전자기파를 조사할 때에 대한 질문입니다.
[1]  | 226 |
| 594 | CCP에서 전극에 쌓이는 막질에 의한 Capacitance 변화가 궁금합니다 [1] | 2365 |
| 593 | low pressure 영역에서 아킹이 더 쉽게 발생하는 이유에 관해 문의드립니댜. [1] | 1370 |
| 592 | 안녕하세요? 임피던스 매칭관련 질문드립니다. [1] | 2369 |
| 591 | electron energy distribution에 대해서 질문드립니다. [2] | 3248 |
| 590 | 안녕하세요 플라즈마의 원초적인 개념에서 궁금한 점이 생겨서 질문드립니다. [1] | 936 |
| 589 | 플라즈마 에칭 과 표면처리 의 차이점 질문드립니다. [1] | 2026 |
| 588 | RIE에서 O2역할이 궁금합니다 [4] | 3887 |
| 587 | 플라즈마 챔버 [2] | 1259 |
| 586 | Decoupled Plasma 관련 질문입니다. [1] | 1061 |
| 585 | 플라즈마 임피던스와 Vpp가 관련이 있나요? [1] | 3655 |
| 584 | 플라즈마 용어 질문드립니다 [1] | 788 |
| 583 | 안녕하세요 교수님. ICP관련하여 문의드립니다. [1] | 1679 |
| 582 | ICP-RIE etch에 관해서 여쭤볼것이 있습니다!! [1] | 1365 |
| 581 | 플라즈마 이용 metal residue 제거방법 문의드립니다. [1] | 883 |
| 580 | RF 반사파와 이물과의 관계 [1] | 1130 |