질문하실 때 실명을 사용하여주세요.

2010.11.25 15:38

관리자 조회 수:92901 추천:380

플라즈마에 관심있으신 모든 분이 활용하고 플라즈마의 지식을 공유할수 있는 공간을 제공한다라는 원칙을 갖고 있습니다. 따라서 의견을 개진 하실 때는 자신의 이름을 분명히 밝혀주셔야 합니다. 그럼으로써 서로 알고 있는 플라즈마의 지식을 자유롭게 공유할 수 있을 것 입니다. 이 사항을 협조하여 주지기 바랍니다. 본인의 이름을 밝히지 않는 사람의 의견은 일주일 이내에 내용이 삭제됩니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [280] 77146
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20426
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57335
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68879
» 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92901
542 Dry etch 할때 센터와 사이드 etch rate [1] 2318
541 플라즈마 입자 운동 원리(전자기장에서) [1] 1888
540 CCP/ICP 의 플라즈마 밀도/균일도 에 대해서 질문이 있습니다. [3] 3829
539 플라즈마 살균 방식 [2] 11500
538 Matcher의 효율에 대한 내용에 대해서 궁금합니다. [1] 1400
537 RF/LF에 따른 CVD 막질 UNIFORMITY [1] 2473
536 H-field 측정위치에 따른 H Field MAP 변화 관련 [1] 440
535 Dechucking과 He gas의 관계 질문입니다. [1] 1104
534 Matcher의 Load/Tune Position 거동에 관해 질문이 있습니다. [2] 3298
533 O2 plasma, H2 plasma 처리 관련 질문이 있습니다. [1] 6461
532 Plasma etch관련 질문이 드립니다. [1] 1260
531 RPS를 이용한 SIO2 에칭 [1] 2412
530 쉬스(sheath)에서 전자와 이온의 감소 관련하여 질문 [1] 1944
529 질문있습니다 교수님 [1] 22208
528 CVD품질과 RF Delivery power 관계 질문 [1] 1769
527 KM 모델의 해석에 관한 질문 [1] 453
526 remote plasma 데미지 질문 [1] 14497
525 RF generator 관련 문의드립니다 [3] 1960
524 Wafer Warpage에 따른 CCP Type Chamber 내부 Impedance [1] 1350
523 안녕하세요. O2 plasma etching에 대해 궁금한 것이 있습니다. [1] 6769

Boards


XE Login