안녕하세요? 식각에 관해 공부하고 있는 대학원생입니다.

요즘 plasma etching 에 관한 리뷰를 보는 중 식각 시 나타나는 etch profile의 distortion에 관해서 써놓은 내용을 보았습니다.

특히, Si 공정 중 micro-trench 현상이 일어나고, 그대로 소자가 만들어 졌을 때에 소자 상에서 어떤 문제가 일어나는지 궁금합니다. 

리뷰에 달린 참고문헌을 봐도 distortion에 대한 메커니즘만 설명되어 있고, 실제 소자상에서는 어떤 문제가 있는지 다뤄지지가 않아 너무 궁금합니다...

혹시 이에 대한 문헌이나, 참고할만한 자료가 있으면 답변 부탁드리겠습니다.

감사합니다.

참고한 문헌 : Donnelly, V. M., & Kornblit, A. (2013). Plasma etching: Yesterday, today, and tomorrow. Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films, 31(5), 050825.