질문하실 때 실명을 사용하여주세요.

2010.11.25 15:38

관리자 조회 수:92698 추천:380

플라즈마에 관심있으신 모든 분이 활용하고 플라즈마의 지식을 공유할수 있는 공간을 제공한다라는 원칙을 갖고 있습니다. 따라서 의견을 개진 하실 때는 자신의 이름을 분명히 밝혀주셔야 합니다. 그럼으로써 서로 알고 있는 플라즈마의 지식을 자유롭게 공유할 수 있을 것 입니다. 이 사항을 협조하여 주지기 바랍니다. 본인의 이름을 밝히지 않는 사람의 의견은 일주일 이내에 내용이 삭제됩니다.

이 게시물을
수정 삭제 목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [276] 76875
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20274
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57199
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68751
» 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92698
477 RPG Cleaning에 관한 질문입니다. [2] 2026
476 리모트 플라스마 소스 AK 부품 수출 관련 질문 입니다 반도체 장비 부풉ㅁ 1050
475 안녕하세요 ICP dry etching 관련 질문사항드립니다! [1] 1974
474 PEALD관련 질문 [1] 32645
473 N2 Plasma 상태에 대해서 질문 드립니다. [1] 2272
472 dry etching중 온도, 진공도, glass상태에 따라 chucking force가 변화하는지요? [1] 3557
471 Plasma Etching 교재 추천 부탁드립니다.. [3] 1079
470 기판 위에서 Radical의 운동역학에 관하여 질문드립니다. [2] 726
469 ICP plasma에서 RF bias에 대한 문의가 있습니다 [2] 3993
468 VPS 공정에서 압력변수관련 질문입니다. [1] 428
467 임피던스 실수부에 대해 궁금한 점이 있습니다. [4] 2353
466 쉬쓰 천이지역에 관한 질문입니다. [1] 1164
465 Langmuir probe의 위치에 관한 질문입니다. [3] 1355
464 상압플라즈마 제품 원리 질문드립니다 [2] 960
463 식각 시 나타나는 micro-trench 문제 [1] 2021
462 plasma etching을 관련 문의드립니다. [1] 2435
461 Wafer particle 성분 분석 [1] 2332
460 고온의 플라즈마와 저온의 플라즈마의 차이 [1] 2875
459 charge effect에 대해 [2] 1477
458 PECVD 증착에서 etching 관계 [1] 1525
쓰기
태그

Boards

XE Login