Others 잔류시간 Residence Time에 대해
2021.06.08 10:34
안녕하세요 박사님. 플라즈마 장비를 다루는 반도체 장비 회사에 다니는 연구원입니다.
항상 좋은 글 잘 보고 있습니다.
다름이 아니라 저희가 현재 유입하는 Gas의 유량을 조절하여 이것이 공정에 어떤 영향을 끼치는지 분석하고 있습니다.
저희가 펌프의 Valve를 고정해놓고 실험을 했기 때문에 유입시키는 Gas 양을 줄이면서 자연스럽게 Pressure 또한 줄어 들었는데,
이 때 Gas의 Residence Time 이 어떻게 변하는지 궁금합니다.
같은 양의 Gas라고 하더라도 Residence time에 따라 공정 결과 값이 바뀔 것 같은데
이 Residence time은 어떻게 구할 수 있을까요?
댓글 1
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [279] | 77055 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20376 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57288 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68833 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92833 |
238 | 플라즈마 진단 공부중 질문 [1] | 706 |
237 | 플라즈마 세정처리한 PCB, Lead Frame 재활용 방법 [1] | 492 |
236 | Co-relation between RF Forward power and Vpp [1] | 601 |
235 | MFP와 Sheath 관련하여 추가 질문 드립니다. [1] | 1157 |
234 | Bias 관련 질문 드립니다. [1] | 3469 |
233 | Sheath 길이와 전자의 온도 및 MFP간의 관계에 대해 질문 드립니다. [1] | 4860 |
232 | RF 전압과 압력의 영향? [1] | 1698 |
231 | Plasma Cleaning 관련 문의 [1] | 1375 |
230 | standing wave effect에 대한 질문이 있습니다. [1] | 1666 |
229 | 안녕하세요 DBD 플라즈마 소독 관련질문입니다. [1] | 451 |
228 | ICP와 CCP는 단순히 플라즈마를 생서하는 방법인가요? [1] | 8756 |
227 | CVD 막질의 성질에 대해 질문드립니다. [1] | 1358 |
226 | 전자 온도에 대한 질문이 있습니다. [1] | 1020 |
225 | 데포 중 RF VDC DROP 현상 [1] | 1542 |
224 | 플라즈마를 통한 정전기 제거관련. [1] | 733 |
223 | CVD (CCP) 공정의 Chamber seasoning과 플라즈마 밀도 [1] | 2023 |
222 | LF Power에의한 Ion Bombardment [2] | 2108 |
221 | 전자 온도 구하기 [1] | 1161 |
220 | 공정 진행 중 의도적인 섭동 효과에 대해서 질문 드립니다. [1] | 326 |
219 | CVD 공정에서의 self bias [1] | 3174 |