질문하실 때 실명을 사용하여주세요.

2010.11.25 15:38

관리자 조회 수:103019 추천:380

플라즈마에 관심있으신 모든 분이 활용하고 플라즈마의 지식을 공유할수 있는 공간을 제공한다라는 원칙을 갖고 있습니다. 따라서 의견을 개진 하실 때는 자신의 이름을 분명히 밝혀주셔야 합니다. 그럼으로써 서로 알고 있는 플라즈마의 지식을 자유롭게 공유할 수 있을 것 입니다. 이 사항을 협조하여 주지기 바랍니다. 본인의 이름을 밝히지 않는 사람의 의견은 일주일 이내에 내용이 삭제됩니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [327] 98074
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 23838
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 60517
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 72383
» 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 103019
76 III-V 반도체 에칭 공정 문의 [1] 361
75 Wafer 영역별 E/R 차이에 대한 질문 [Gas flow system vs E/R] [1] 318
74 ICP 장비 TCP Reflect 발생 간 조언 부탁드립니다. [1] 408
73 가스 조성 및 온도에 따른 식각률 관련 질문입니다. [Arrhenius equation 이해] [1] 399
72 ExB drift 식 유도 과정에서의 질문 [삼각함수의 위상각] [1] 275
71 Debey Length에 대해 문의 드립니다. [플라즈마 정의와 Deybe length] [1] 385
70 플라즈마 식각 공정 중 폴리머의 거동 [재료 표면 반응] [1] 4713
69 Wafer Capacitance 성분과 Vdc 관계 문의드립니다. [Sheath 크기 및 전위 분포] [1] 370
68 공정 DATA TARGET 간 난제가 있어 문의드립니다. [Sheath uniformity 이해] [1] 569
67 플라즈마 식각 커스핑 식각량 208
66 플라즈마 식각 시 notching 현상 관련 [Ar, O2 플라즈마 생성 특성] [1] 518
65 Etch Plasma 관련 문의 건.. [RF 주파수와 플라즈마 주파수] [1] 549
64 center to edge 문제를 극복하기 위한 방법 2 569
63 center to edge 문제를 극복하기 위한 방법 [CCP 균일도, CCP edge] [1] 1314
62 RIE Gas 질문 하나 드려도 될까요? [Sheath instability] [1] 592
61 RIE 설비 관련 질문 좀 드려도 될까요? [RF matcher noise] [1] 547
60 remote plasma를 이용한 SiO2 ethching 질문드립니다. [식각률 self limit과 쉬스 에너지 변화] [1] 995
59 GWP(Global warming potential)에 따른 Etch gas 변화에 대한 질문 [1] 925
58 애칭 후 부산물의 양을 알고 싶습니다. [Materials processing] [1] 594
57 [재질문]에칭에 필요한 플라즈마 가스 [플라즈마 식각기술] [1] 940

Boards


XE Login