Others 잔류시간 Residence Time에 대해
2021.06.08 10:34
안녕하세요 박사님. 플라즈마 장비를 다루는 반도체 장비 회사에 다니는 연구원입니다.
항상 좋은 글 잘 보고 있습니다.
다름이 아니라 저희가 현재 유입하는 Gas의 유량을 조절하여 이것이 공정에 어떤 영향을 끼치는지 분석하고 있습니다.
저희가 펌프의 Valve를 고정해놓고 실험을 했기 때문에 유입시키는 Gas 양을 줄이면서 자연스럽게 Pressure 또한 줄어 들었는데,
이 때 Gas의 Residence Time 이 어떻게 변하는지 궁금합니다.
같은 양의 Gas라고 하더라도 Residence time에 따라 공정 결과 값이 바뀔 것 같은데
이 Residence time은 어떻게 구할 수 있을까요?
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [292] | 77375 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20517 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57438 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68981 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 93004 |
| 552 | 플라즈마 분배에 관하여 정보를 얻고 싶습니다. | 13217 |
| 551 | 플라즈마가 생기는 메커니즘에 대한 질문입니다. [1] | 13085 |
| 550 | [기초]CCP Type에서의 Self-Bias(-Vdc) + Vp (plasma potential) 관련 질문입니다. [1] | 12828 |
| 549 | 반응기의 면적에 대한 질문 | 12821 |
| 548 | ICP와 CCP의 차이 [3] | 12608 |
| 547 | 플라즈마에 대해서 꼭알고 싶은거 있는데요.. | 12380 |
| 546 | Arcing(아킹) 현상 및 local plasma 관련 문의 [1] | 11803 |
| 545 | N2, Ar Plasma Treatment 질문입니다. [1] | 11632 |
| 544 | 플라즈마 살균 방식 [2] | 11533 |
| 543 | DC bias (Self bias) [3] | 11380 |
| 542 | matcher에서 load,tune의 역할이 궁금합니다. [1] | 10687 |
| 541 | RGA에 대해서 | 10564 |
| 540 | Remote Plasma에서 Baffle 재질에 따른 Plasma 특성 차이 [1] | 10417 |
| 539 | 플라즈마 PIC 질문드립니다. [1] | 10408 |
| 538 | 미국의 RF 관련 회사 문의드립니다. [1] | 10345 |
| 537 | 플라즈마에 하나도 모르는 완전초보입니다..도와주십시오ㅠㅠ [1] | 10053 |
| 536 | ICP 구성에서 PLASMA IGNITION시 문의 [1] | 9930 |
| 535 | 저온 플라즈마 장비에 관련하여 자문을 구합니다. | 9849 |
| 534 | 수중 방전 관련 질문입니다. [1] | 9693 |
| 533 | 대기압 플라즈마에 대해서 | 9665 |
다음 식으로 어름잡아 보시기 바랍니다. 반응기 (chamber) 내에서의 입자들 체류시간 (혹은 잔류시간 residence time)은 반응기 부피를 펌프의 배기속도 (liter/time) 로 나누어 구할 수 있습니다. 이는 입자가 반응기 전체에 균일하게 분포되어 있을 경우로서, 시료 표면에 잔류하고 있는 시간과는 차이가 있을 수 있을 것 같습니다. 따라서 표면에서 유속에 대한 정보가 얻어지면 공정 분포를 이해하는데 보다 도움이 될 수 있겠습니다. (유체해석 코드를 이용해 보시기 바랍니다)