안녕하십니까? 대학원에서 플라즈마 상태에 따른 박막의 특성을 연구하고 있는 학생입니다.

현재 연구실에서 OES를 사용하고 있는데, 분석 법 중에서 Actinometry 법 외에 excitation temperature를 구할 수 있는 것을 뒤늦게서야 알게 됐습니다.

몇몇 논문을 봤을 때 랭뮤어 탐침 법으로 electron temperature를 구하고, OES로 excitation temperature를 구한 결과를 비교했을 때 같은 경향성을 나타낸다고 봤습니다. 

여기서 몇 가지 질문할 사항이 있습니다.

1. 그렇다면 OES를 통해 확인하고자 하는 species의 excitation temperature를 구하여, species가 플라즈마 내에서 대략적으로 어떠한 상태인지를 경향성을 확인할 수 있지 않나요?

2. 그리고 electron temperature와 excitation temperature의 차이를 명확하게 모르겠습니다. 간단하게 설명을 부탁드릴 수 있을까요?


감사합니다!.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [282] 77200
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20462
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57359
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68898
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92945
446 방전에서의 재질 질문입니다. [1] 3567
445 Gas 별 Plasma 색 관련 질문입니다. [1] 3541
444 Bias 관련 질문 드립니다. [1] 3494
443 plasma sheath 두께의 영향에 대하여 질문드립니다. [2] 3481
442 RF plasma 증착 시 arcing 관련하여 질문드립니다. [1] 3462
441 코로나 방전의 속도에 관하여... [1] 3453
440 RF Power와 균일도 연관성 질문드립니다. [2] 3452
439 PECVD Precursor 별 Arcing 원인 [1] 3384
438 Etcher Chamber Wall에 의도적으로 Polymer를 증착시키고 싶습니다. [2] 3347
437 PP & PET 친수성과 접착성 유지 질문입니다. [1] 3345
436 Matcher의 Load/Tune Position 거동에 관해 질문이 있습니다. [2] 3318
435 electron energy distribution에 대해서 질문드립니다. [2] 3274
434 matcher, ESC, Heater에 대해 질문 드립니다. [3] 3245
433 CVD 공정에서의 self bias [1] 3205
432 M/W, RF의 Plasma에 의한 Ashing 관련 문의드립니다. [1] 3199
431 아르곤이나 기타 플라즈마 토치에 소량의 수증기를 집어넣으면 온도가 떨어지는 현상에 대해서 3168
430 Plasma 에칭 후 정전기 처리 [3] 3071
429 Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [1] 3057
428 Plasma etcher particle 원인 [1] 3050
427 RF matcher와 particle 관계 [2] 3031

Boards


XE Login