다른 질문사항에 Matcher 매칭회로에서 Load, Tune에 관한 설명을 봤는데요

공정을 진행하다보면 간헐적으로 Load, Tune 값이 바뀌며 Vpp drop이 발생합니다.

PEALD 장비에서 Load와 Tune 값에 영향을 미치는 요소들이 뭐가 있을지 궁금합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [279] 76964
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20323
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57243
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68791
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92784
341 RF chamber에서.. particle(부유물) 와 RF reflect power연관성 [1] 4226
340 플라즈마 색 관찰 [1] 4320
339 Dry Etching Uniformity 개선 방법 [2] 4321
338 ESC 사용하는 PVD 에서 Center tap bias의 역할 4373
337 챔버내 Arcing 발생 개선안에 대해 질문드립니다. [3] 4549
336 Sheath 길이와 전자의 온도 및 MFP간의 관계에 대해 질문 드립니다. [1] 4855
335 매쳐에서의 load, tune에 대하여 좀 가르쳐 주세요~ [1] 5112
334 CCP 설비에서 Vdc, Vpp과 Power에 대해 문의드립니다. [1] file 5143
333 RF power에 대한 설명 요청드립니다. [1] 5196
332 SiO2 식각 위한 Remote Plasma Source관련 질문 드립니다. [1] 5397
331 DRAM과 NAND에칭 공정의 차이 [1] 5491
330 ESC Chuck 기능이 Wafer 위에서의 Chemical Bond 생성을 boosting 할 수 있는지 궁금합니다. [1] 5591
329 RF Vpp 관련하여 문의드립니다. [1] 5699
328 RF calibration에 대해 질문드립니다. 5840
327 안녕하세요. ICP 플라즈마의 임피던스를 측정하는 방법에 대해서 문의를 드립니다. [3] 5938
326 SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유 [1] file 5938
325 OES를 활용한 excitation temperature 분석 질문입니다. [1] 5939
324 코로나방전, 이온풍 관련 문의 드립니다. [1] file 6064
323 모노실란(SiH4) 분해 메카니즘 문의 6104
322 자료 요청드립니다. [1] 6211

Boards


XE Login