질문하실 때 실명을 사용하여주세요.

2010.11.25 15:38

관리자 조회 수:55047 추천:380

플라즈마에 관심있으신 모든 분이 활용하고 플라즈마의 지식을 공유할수 있는 공간을 제공한다라는 원칙을 갖고 있습니다. 따라서 의견을 개진 하실 때는 자신의 이름을 분명히 밝혀주셔야 합니다. 그럼으로써 서로 알고 있는 플라즈마의 지식을 자유롭게 공유할 수 있을 것 입니다. 이 사항을 협조하여 주지기 바랍니다. 본인의 이름을 밝히지 않는 사람의 의견은 일주일 이내에 내용이 삭제됩니다.

번호 제목 조회 수
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 48578
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 49789
» 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [1] 55047
549 Vacuum Chamber(Etching) 내에서 열의 이동과 Byproduct 이동과의 관계. [2] 29
548 플라즈마 PIC 질문드립니다. [1] 27
547 [RIE] reactive, non-reactive ion의 역할 [1] 47
546 O2 Asher o-ring 문의드립니다. [1] 43
545 진공장치 챔버내 산소 또는 수분 제거 방법에 대해 [1] 127
544 자외선 세기와 결합에너지에 대해 질문드립니다. [1] 69
543 Dry etch 할때 센터와 사이드 etch rate [1] 145
542 플라즈마 입자 운동 원리(전자기장에서) [1] 179
541 CCP/ICP 의 플라즈마 밀도/균일도 에 대해서 질문이 있습니다. [3] 213
540 플라즈마 살균 방식 [1] 3733
539 표면상태에 따른 코팅 전후 비교(PVD) [2] file 428
538 Matcher의 효율에 대한 내용에 대해서 궁금합니다. [1] 163
537 RF/LF에 따른 CVD 막질 UNIFORMITY [1] 162
536 H-field 측정위치에 따른 H Field MAP 변화 관련 [1] 63
535 Dechucking과 He gas의 관계 질문입니다. [1] 130
534 Matcher의 Load/Tune Position 거동에 관해 질문이 있습니다. [2] 190
533 O2 plasma, H2 plasma 처리 관련 질문이 있습니다. [1] 594
532 Plasma etch관련 질문이 드립니다. [1] 232
531 RPS를 이용한 SIO2 에칭 [1] 654
530 쉬스(sheath)에서 전자와 이온의 감소 관련하여 질문 [1] 431

Boards


XE Login