질문하실 때 실명을 사용하여주세요.

2010.11.25 15:38

관리자 조회 수:105465 추천:380

플라즈마에 관심있으신 모든 분이 활용하고 플라즈마의 지식을 공유할수 있는 공간을 제공한다라는 원칙을 갖고 있습니다. 따라서 의견을 개진 하실 때는 자신의 이름을 분명히 밝혀주셔야 합니다. 그럼으로써 서로 알고 있는 플라즈마의 지식을 자유롭게 공유할 수 있을 것 입니다. 이 사항을 협조하여 주지기 바랍니다. 본인의 이름을 밝히지 않는 사람의 의견은 일주일 이내에 내용이 삭제됩니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [330] 102091
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 24546
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 61190
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 73246
» 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 105465
513 Si Wafer에 Plasma를 처리했을때 정전기 발생 [Particle 관리] [1] 1201
512 Hollow Cahthode glow Discharge 실험 관련해서 여쭤보고싶습니다. [장치 setting과 전극재료] [1] file 1049
511 에쳐장비HF/LF 그라운드 관련 [1] 20041
510 매쳐 출력값 검토 부탁 드립니다. [RF plasma와 circuit model] [1] 1097
509 ICP-RIE process 및 plasma에 대해 질문있습니다. [Etch와 IEDF] [2] 4170
508 진학으로 고민이 있습니다. [복수전공] [2] 1332
507 플라즈마 형성시 하전입자의 밀도와 챔버에 관련해서 질문드립니다. [Skin depth, global model과 floating potential] [2] 1553
506 Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [Flow rate와 moral ratio, resident time] [1] 3694
505 전자기장 및 유체 시뮬레이션 관련 [핵융합 연구소] [1] 785
504 ICP reflecot power [Insulator와 rf leak] [1] 2029
503 압력, 유량과 residence time에 대해 질문있습니다. [MFC와 residence time] [1] 2562
502 Arcing(아킹) 현상 및 local plasma 관련 문의 [ESC와 matcher] [1] 13880
501 Ar과 O2 plasma source에 따른 ignition condition에 대하여 질문 있습니다. [Step ionization, Dissociative ionization] [1] 3038
500 공정플라즈마 [플라즈마 입자 거동 및 유체 방정식] [1] 1459
499 임피던스 매칭회로 [전기공학 회로 이론 및 impedance matching] [1] file 3306
498 전쉬스에 대한 간단한 질문 [Debye length 및 sheath 형성] [1] 834
497 CCP기반 power와 Etch rate 관계에 대해 여쭈어드립니다. [Plasma chemistry] [3] 2072
496 glow 방전 현상과 플라즈마 현상에 궁금하여 글 남깁니다. [고전압 방전 및 DBD] [2] 2024
495 plasma sheath 두께의 영향에 대하여 질문드립니다. [Child-Langmuir sheath model] [2] 4366
494 대학원 진학 질문 있습니다. [전공 설계] [2] 1425

Boards


XE Login