질문하실 때 실명을 사용하여주세요.

2010.11.25 15:38

관리자 조회 수:105663 추천:380

플라즈마에 관심있으신 모든 분이 활용하고 플라즈마의 지식을 공유할수 있는 공간을 제공한다라는 원칙을 갖고 있습니다. 따라서 의견을 개진 하실 때는 자신의 이름을 분명히 밝혀주셔야 합니다. 그럼으로써 서로 알고 있는 플라즈마의 지식을 자유롭게 공유할 수 있을 것 입니다. 이 사항을 협조하여 주지기 바랍니다. 본인의 이름을 밝히지 않는 사람의 의견은 일주일 이내에 내용이 삭제됩니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [330] 102439
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 24625
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 61303
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 73398
» 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 105663
193 플라즈마 측정기 [How Langmuir Probe Works] [1] 21551
192 Dry Etcher 내 reflect 현상 [Chuck 전압/전류 및 field breakdown] [2] 22538
191 Arcing [전하 축적에 의한 방전 개시] [1] 28966
190 RF 플라즈마 챔버 내부에서 모션 구동 [장비의 접지, 절연 관리] [1] 25024
189 전자온도에 대하여 궁금한 사항이 있습니다. [전자 가열 매커니즘과 이온 에너지] [1] 19322
188 궁금해서요 16489
187 PM을 한번 하시죠 19801
186 CCP형, 진공챔버 내에서의 플라즈마... [플라즈마 확산 및 전력정합 영역 제어] [1] file 20633
185 Dry Etch장비에서 Vdc와 Etch rate관계 [플라즈마 및 반응기 임피던스] [1] 23250
184 scattering cross-section, rf grounding에 관한 질문입니다. [RF matching 및 반응 단면적] [2] 19470
183 Full Face Erosion 관련 질문 [2] 19637
182 공정챔버에서의 아킹 및 노이즈 문제... [공정 과정 및 장치 상태] [2] 26851
181 상압 플라즈마 관련 문의입니다. [열용량과 방전 전력에 따른 냉각 장치] [1] 21750
180 RF에 대하여... 32586
179 Dechucking 시 wafer 상의 전하 문제 24425
178 PECVD 매칭시 Reflect Power 증가 [반사파 형성과 플라즈마 운전 조건] [2] 25269
177 RF를 이용하여 Crystal 세정장치 [RF 방전과 이온 에너지] [1] 19160
176 RF plasma에 대해서 질문드립니다. [Sheath model, Ion current density] [2] 21359
175 floating substrate 에서 sheath 형성 과정 의문점 [Ambipolar diffusion, Floating potential] [2] 23097
174 MATCHING NETWORK 에서 BACKWARD BIAS 가 생성되는 이유가 무엇 입니까? [Impedance matching과 반사파 형성] [3] 22817

Boards


XE Login