반도체 공정과 관련하여 DIFF 공정 진행 간, TEMP와 RF 간에 상관 관계가 궁금하여 문의 드립니다.

NH3의 분해와 관련하여 상온 기준 RF POWER를 인가한다고 했을때 분해 가능한 수준이 어느 정도인지 궁금합니다.(W 기준)

그리고 추가로 문의 드리고 싶은 사항은 TEMP와 RF 간에 상관 관계입니다. TEMP가 변화하는 정도에 따른 RF의 변화 정도가 어떻게 되는지 궁금해서 문의 드립니다.

정답이 힘들다면 참고 및 이해할 수 있는 답변을 좀 부탁 드립니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [113] 4905
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 16237
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 51250
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 63752
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [2] 83531
» RF 변화에 영향이 있는건가요? 17406
417 코로나 방전 처리 장비 문의드립니다. [1] 380
416 RIE 공정시에 형성되는 두 효과를 분리해 보고 싶습니다. [1] 622
415 코로나 전류가 0가까이 떨어지는 현상 [1] 483
414 etching에 관한 질문입니다. [1] 1453
413 코로나 방전의 속도에 관하여... [1] 2771
412 RF Vpp 관련하여 문의드립니다. [1] 4883
411 DRAM과 NAND에칭 공정의 차이 [1] 4852
410 (PAP)plasma absorption probe관련 질문 [1] 361
409 Si Wafer Broken [2] 1844
408 Depo시 RF 초기 Reflect 관련하여 문의드립니다. [1] 1054
407 I-V characteristic에 관하여 질문이 있습니다. [1] 918
406 플라즈마 기초에 관하여 질문드립니다. [1] 827
405 플라즈마 깜빡임에 대해 질문이 있습니다. [1] 1556
404 OES 원리에 대해 궁금합니다! [1] 22944
403 Collisional mean free path 문의... [1] 588
402 Etch공정(PE mode) Vpp 변동관련. [1] 1779
401 플라즈마 색 관찰 [1] 2861
400 플라즈마 장비를 사용한 실험이 가능할까요 ? [1] 489
399 langmuir probe관련하여 질문드리고 싶습니다. [1] file 775

Boards


XE Login