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[필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내
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Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법
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개인정보 노출 주의 부탁드립니다.
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kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수
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질문하실 때 실명을 사용하여주세요.
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553 |
접착력을 위한 플라즈마 처리 관련 질문입니다. [플라즈마 소스 변경]
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안녕하세요. 교수님 ICP 관련하여 문의드립니다. [충돌 단면적 및 반응 계수]
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접착력을 위한 플라즈마 처리 관련 질문입니다. [플라즈마 소스 변경]
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550 |
전극에 따른 힘의 크기 질문드립니다. [웨이퍼 bending]
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549 |
챔버내 Arcing 발생 개선안에 대해 질문드립니다. [Arc 형성 조건]
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548 |
Vacuum chamber(Etching)내에서 열의 이동과 Byproduct 이동과의 관계 [Plasma bulk Temp와 wall Temp]
[2] | 1431 |
547 |
플라즈마 PIC 질문드립니다. [PIC simulation]
[1] | 10658 |
546 |
[RIE] reactice, non-reactice ion의 역할 [Dissociation과 Ar plasma]
[1] | 3171 |
545 |
O2 Asher o-ring 문의드립니다. [Plasma heat와 dissociation]
[1] | 1214 |
544 |
진공장치 챔버내 산소 또는 수분 제거 방법에 대해 [Chemisorption과 pruege gas]
[1] | 4539 |
543 |
자외선 세기와 결합에너지에 대해 질문드립니다. [UV energy]
[1] | 865 |
542 |
Dry etch 할 때 센터와 사이드 etch rate [Plasma diffusion과 distribution]
[1] | 2792 |
541 |
플라즈마 입자 운동 원리(전자기장에서) [Lorentz force와 magnetic confinement]
[1] | 2729 |
540 |
CCP/ICP 의 플라즈마 밀도/균일도 에 대해서 질문이 있습니다. [Plasma source와 loss]
[3] | 4470 |
539 |
플라즈마 살균 방식 [Plasma medicine]
[2] | 11894 |
538 |
Matcher의 효율에 대한 내용에 대해서 궁금합니다. [Matcher와 dynamic impedance]
[1] | 1765 |
537 |
RF/LF에 따른 CVD 막질 UNIFORMITY [LF와 Sheath]
[1] | 3221 |
536 |
H-field 측정위치에 따른 H Field MAP 변화 관련 [ICP와 H field]
[1] | 644 |
535 |
Dechucking과 He gas의 관계 질문입니다. [Chucking/dechucking 파티클 제어]
[1] | 1450 |
534 |
Matcher의 Load/Tune Position 거동에 관해 질문이 있습니다. [Plasma impedance와 Matcher]
[2] | 5311 |
정의가 중요합니다. 고온과 저온은 우리가 생각하는 온도 범위와는 차이가 큽니다. 여기서는 주로 eV 에너지 단위를 사용해서 온도를 표시합니다. 일반적으로 온도는 플라즈마 전자의 온도로 가정해도 좋습니다.. 따라서 저온 플라즈마는 (<10eV) 정도의 전자의 열평형상태를 대표하는 온도이며, 이는 주로 산업용으로 쓰이는 플라즈마를 의미합니다. 전자에너지가 낮음은 플라즈마가 모두 이온화 되어 있지 않다는 의미이기 도하며, 이온화율을 1% 정도에서 10% 정도까지, 또는 그 미만으로 부분적으로 이온화된 상태 (partially ionization), 플라즈마 전자+이온+대부분의 중성입자 (라디털포함)으로 이뤄진 상태입니다. 반면 고온 플라즈마는 핵융합 플라즈마와 같이 전자 온도가 수십 keV를 넘는 플라즈마이며 이정도 온도를 가졌기에 대부분의 가스입자들이 완전히 이온화가 된 상태, fully ionization 상태를 의미하게 됩니다. 따라서 저온 플라즈마에서는 플라즈마의 물리적 특성과 함께 화학적 특성과 중성입자의 거동을 함께 고려해야 하며, 고온 플라즈마에서는 주로 물리적 특성과, 대부분이 자화된 상태로 구속되어 있으므로 자기장에서의 성질을 함께 고려해야 한다는 의미를 함축하고 있습니다.