질문하실 때 실명을 사용하여주세요.

2010.11.25 15:38

관리자 조회 수:92609 추천:380

플라즈마에 관심있으신 모든 분이 활용하고 플라즈마의 지식을 공유할수 있는 공간을 제공한다라는 원칙을 갖고 있습니다. 따라서 의견을 개진 하실 때는 자신의 이름을 분명히 밝혀주셔야 합니다. 그럼으로써 서로 알고 있는 플라즈마의 지식을 자유롭게 공유할 수 있을 것 입니다. 이 사항을 협조하여 주지기 바랍니다. 본인의 이름을 밝히지 않는 사람의 의견은 일주일 이내에 내용이 삭제됩니다.

이 게시물을
수정 삭제 목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [276] 76852
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20258
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57192
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68747
» 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92609
737 ICP Dry Etch 설비 DC bias Hunting 관련 질문드립니다. [1] 428
736 RF sputter 증착 문제 질문드립니다. [1] file 317
735 plasma off시 일어나는 현상 문의드립니다 [1] 352
734 Arcing 과 Self-DC Bias Voltage 상관 관계 [1] 580
733 RF 스퍼터 관련 질문이 있습니다. [1] 267
732 반사파와 유,무효전력 관련 질문 [2] 355
731 GWP(Global warming potential)에 따른 Etch gas 변화에 대한 질문 [1] 252
730 N2 GAS를 이용한 Plasma에 대한 질문 [1] 616
729 Plasma 표면개질에 대해 질문드립니다. [1] 553
728 PECVD 고온 공정에서 증착 막으로의 열전달 관련 문의드립니다. [1] 340
727 Sheath와 Plasma Bulk에 걸리는 전압 관련 문의 [1] 474
726 chamber에 인가 되는 forward power 관련 문의 [1] 361
725 반도체 METAL ETCH 시 CH4 GAS의 역할. [1] 700
724 Plasma Reflect를 관리하는 방법이 있을까요? [1] 592
723 애칭 후 부산물의 양을 알고 싶습니다. [1] 393
722 화장품 원료의 플라즈마 처리 문의 [1] file 187
721 LXcat Dataset에 따른 Plasma discharge 에 대한 질문입니다. [1] 152
720 플라즈마 공정 후, 친수성으로 변한 표면의 친수성 제거 [1] 409
719 Compressive한 Wafer에 대한 질문 [1] 235
718 [재질문]에칭에 필요한 플라즈마 가스 [1] 672
쓰기
태그

Boards

XE Login