질문하실 때 실명을 사용하여주세요.
2010.11.25 15:38
플라즈마에 관심있으신 모든 분이 활용하고 플라즈마의 지식을 공유할수 있는 공간을 제공한다라는 원칙을 갖고 있습니다. 따라서 의견을 개진 하실 때는 자신의 이름을 분명히 밝혀주셔야 합니다. 그럼으로써 서로 알고 있는 플라즈마의 지식을 자유롭게 공유할 수 있을 것 입니다. 이 사항을 협조하여 주지기 바랍니다. 본인의 이름을 밝히지 않는 사람의 의견은 일주일 이내에 내용이 삭제됩니다.
댓글 3
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [271] | 76749 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20217 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57169 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68707 |
| » | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92307 |
| 190 | RF 플라즈마 챔버 내부에서 모션 구동 [1] | 24773 |
| 189 | 전자온도에 대하여 궁금한 사항이 있습니다. [1] | 18741 |
| 188 | 궁금해서요 | 16316 |
| 187 | PM을 한번 하시죠 | 19729 |
| 186 |
CCP형, 진공챔버 내에서의 플라즈마...
[1]  | 20382 |
| 185 | Dry Etch장비에서 Vdc와 Etch rate관계 [1] | 22769 |
| 184 | scattering cross-section, rf grounding에 관한 질문입니다. [2] | 19214 |
| 183 | Full Face Erosion 관련 질문 [2] | 19461 |
| 182 | 공정챔버에서의 아킹 및 노이즈 문제... [2] | 26470 |
| 181 | 상압 플라즈마 관련 문의입니다. [1] | 21513 |
| 180 | RF에 대하여... | 32012 |
| 179 | Dechucking 시 wafer 상의 전하 문제 | 24174 |
| 178 | PECVD 매칭시 Reflect Power 증가 [2] | 24987 |
| 177 | RF를 이용하여 Crystal 세정장치 [1] | 18875 |
| 176 | RF plasma에 대해서 질문드립니다. [2] | 20963 |
| 175 | floating substrate 에서 sheath 형성 과정 의문점 [2] | 22852 |
| 174 | MATCHING NETWORK 에서 BACKWARD BIAS 가 생성되는 이유가 무엇 입니까? [3] | 22579 |
| 173 | glass 기판 ICP 에서 Vdc 전압 | 21753 |
| 172 | self bias (rf 전압 강하) | 26716 |
| 171 | 궁금합니다 [1] | 16177 |