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[필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내
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Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법
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개인정보 노출 주의 부탁드립니다.
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kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수
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질문하실 때 실명을 사용하여주세요.
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챔버내 Arcing 발생 개선안에 대해 질문드립니다. [Arc 형성 조건]
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RPSC 관련 질문입니다. [플라즈마 발생과 쉬스 형성, 벽면 및 시료 demage]
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CCP/ICP 의 플라즈마 밀도/균일도 에 대해서 질문이 있습니다. [Plasma source와 loss]
[3] | 4049 |
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CCP 구조가 ICP 구조보다 Arcing 발생에 더 취약한가요? [Breakdown 전기장, 아크 방전]
[3] | 3743 |
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RF plasma 증착 시 arcing 관련하여 질문드립니다. [Arc와 cleaning]
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고온의 플라즈마와 저온의 플라즈마의 차이 [플라즈마 물리/화학적 특성, 중성입자 거동 및 자기장 성질]
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PP & PET 친수성과 접착성 유지 질문입니다. [소수/친수성 조절 연구]
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수소 플라즈마 관련해서 질문이 있습니다. [MFC와 H2 gas retention]
[3] | 2870 |
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플라즈마 밀도 관련 문의 드립니다. [대기압 플라즈마와 라디컬 생성]
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Ar과 O2 plasma source에 따른 ignition condition에 대하여 질문 있습니다. [Step ionization, Dissociative ionization]
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안녕하세요. 교수님 ICP 관련하여 문의드립니다. [충돌 단면적 및 반응 계수]
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RF 주파수와 공정 Chamber 크기의 상관관계 [Standing wave effect]
[1] | 2552 |
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RPS를 이용한 SIO2 에칭 [Etch와 remote plasma]
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ECR 플라즈마에 대해서 질문드립니다. [ECR과 uniformity]
[1] | 2478 |
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교수님 안녕하세요, icp 관련 질문이 있습니다. [Self bias 및 ICP E/H mode]
[2] | 2466 |
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CCP plasma에서 gap과 Pressure간의 상관관계 [Paschen's Law, P-d 방전 곡선]
[1] | 2444 |
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RPG Cleaning에 관한 질문입니다. [라디컬 측정 방법 및 세정 기술]
[2] | 2233 |
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Remote Plasma가 가능한 이온 [Remote plasma와 diffusion]
[1] | 2133 |
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안녕하세요 ICP dry etching 관련 질문사항드립니다! [N2 플라즈마]
[1] | 2131 |
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RF generator 관련 문의드립니다 [Matcher와 line damage]
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정의가 중요합니다. 고온과 저온은 우리가 생각하는 온도 범위와는 차이가 큽니다. 여기서는 주로 eV 에너지 단위를 사용해서 온도를 표시합니다. 일반적으로 온도는 플라즈마 전자의 온도로 가정해도 좋습니다.. 따라서 저온 플라즈마는 (<10eV) 정도의 전자의 열평형상태를 대표하는 온도이며, 이는 주로 산업용으로 쓰이는 플라즈마를 의미합니다. 전자에너지가 낮음은 플라즈마가 모두 이온화 되어 있지 않다는 의미이기 도하며, 이온화율을 1% 정도에서 10% 정도까지, 또는 그 미만으로 부분적으로 이온화된 상태 (partially ionization), 플라즈마 전자+이온+대부분의 중성입자 (라디털포함)으로 이뤄진 상태입니다. 반면 고온 플라즈마는 핵융합 플라즈마와 같이 전자 온도가 수십 keV를 넘는 플라즈마이며 이정도 온도를 가졌기에 대부분의 가스입자들이 완전히 이온화가 된 상태, fully ionization 상태를 의미하게 됩니다. 따라서 저온 플라즈마에서는 플라즈마의 물리적 특성과 함께 화학적 특성과 중성입자의 거동을 함께 고려해야 하며, 고온 플라즈마에서는 주로 물리적 특성과, 대부분이 자화된 상태로 구속되어 있으므로 자기장에서의 성질을 함께 고려해야 한다는 의미를 함축하고 있습니다.