질문하실 때 실명을 사용하여주세요.

2010.11.25 15:38

관리자 조회 수:94394 추천:380

플라즈마에 관심있으신 모든 분이 활용하고 플라즈마의 지식을 공유할수 있는 공간을 제공한다라는 원칙을 갖고 있습니다. 따라서 의견을 개진 하실 때는 자신의 이름을 분명히 밝혀주셔야 합니다. 그럼으로써 서로 알고 있는 플라즈마의 지식을 자유롭게 공유할 수 있을 것 입니다. 이 사항을 협조하여 주지기 바랍니다. 본인의 이름을 밝히지 않는 사람의 의견은 일주일 이내에 내용이 삭제됩니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [312] 79201
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 21245
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 58052
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 69608
» 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 94394
153 OLED에서 SF6와 CF4를 사용하는 이유를 알고 싶습니다. [Etching] [1] 29203
152 O2 플라즈마 사용에 대한 질문을 드립니다. 809
151 Ta deposition시 DC Source Sputtreing 2394
150 sticking coefficient 관련 질문입니다. [HAR, LF bias] [1] 1138
149 RF Sputtering Target Issue [Sputtering] [2] file 727
148 PECVD 증착시 온도, 기판의 종류의 영향에 대해서 질문드립니다! [PECVD와 PACVD] [1] 2152
147 Chamber 내 Pressure와 Fluid Density, Residence Time [TVP(Thorottle Valve Position)] [1] file 690
146 Polymer Temp Etch [이온 입사 에너지] [1] 818
145 AlCu Dry Etch시 Dust 잔존문제 610
144 플라즈마 샘플 위치 헷갈림 [Self bias와 RIE] [1] 655
143 etch defect 관련 질문드립니다 [Plasma distribution] [1] 1254
142 RIE 장비 사용 중 dc-bias의 감소 [Self bias] [1] 1181
141 플라즈마 세정 장비 (CCP구조)에서 자재 로딩 수에 따른 플라즈마 효과 및 Discolor [CCP 방전 원리] [1] file 1005
140 doping type에 따른 ER 차이 [MD 시뮬레이션 연구] [1] 2247
139 SiO2 박말 밀도와 반응성 간 상관 관계 질문 [세정 시간 및 식각 효율] [1] 4266
138 Al Dry Etch 후 잔류 Cl 이온 제어를 위한 후처리 방법 [Polymer coating 식각] [1] 2433
137 식각 가스 사용 챔버의 잔류 flourine cleaning 혹은 conditioning 방법 질문 [O2 plasma, ion sputtering] [1] 1280
136 Plasma 식각 test 관련 문의 [플라즈마 데이터 처리] [1] 4064
135 Uniformity 관련하여 문의드립니다. [베르누이 정리] [1] 1299
134 텅스텐 Etch 관련하여 질문드립니다. [표면 화학 반응] [1] 1597

Boards


XE Login