질문하실 때 실명을 사용하여주세요.
2010.11.25 15:38
플라즈마에 관심있으신 모든 분이 활용하고 플라즈마의 지식을 공유할수 있는 공간을 제공한다라는 원칙을 갖고 있습니다. 따라서 의견을 개진 하실 때는 자신의 이름을 분명히 밝혀주셔야 합니다. 그럼으로써 서로 알고 있는 플라즈마의 지식을 자유롭게 공유할 수 있을 것 입니다. 이 사항을 협조하여 주지기 바랍니다. 본인의 이름을 밝히지 않는 사람의 의견은 일주일 이내에 내용이 삭제됩니다.
댓글 3
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [158] | 72996 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 17585 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 55512 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 65686 |
» | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 86013 |
55 | 안녕하세요, 질문드립니다. [2] | 6509 |
54 | 플라즈마 쪽에 관심이 많은 고등학생입니다. [1] | 7596 |
53 | 미국의 RF 관련 회사 문의드립니다. [1] | 10017 |
52 | Ar fraction에 따른 Plasma 특성 질문입니다. [1] | 15650 |
51 | [Sputter Forward,Reflect Power] [1] | 28456 |
50 | RF Plasma(PECVD) 관련 질문드립니다. | 31192 |
49 | Sputter 시에 Gas Reaction 에 대해 문의 드립니다. | 20090 |
48 | H2/O2 혼합 플라즈마에 관련 질문 입니다. [2] | 19160 |
47 |
[re] H2/O2 혼합 플라즈마에 관련 질문에 대한 답변 드립니다.
![]() | 29345 |
46 | [re] H2/O2 혼합 플라즈마에 관련 질문 입니다. | 17088 |
45 | ECR plasma 장비관련 질문입니다. [2] | 34691 |
44 | UBM 스퍼터링 장비로... [1] | 20752 |
43 | N2 플라즈마 공정 시간에 따른 Etching rate의 변화 이유가 알고 싶어요 [2] | 23382 |
42 | H2/O2 플라즈마에 대해서 질문드립니다. 꼭 답변점... [1] | 24317 |
41 | 몇가지 질문있습니다 | 16539 |
40 | Dry Etcher 에 대한 교재 [1] | 22379 |
39 | Dry Etch장비에서 Vdc와 Etch rate관계 [1] | 22335 |
38 | Full Face Erosion 관련 질문 [2] | 19378 |
37 | RF에 대하여... | 28795 |
36 | Dechucking 시 wafer 상의 전하 문제 | 23835 |