질문하실 때 실명을 사용하여주세요.

2010.11.25 15:38

관리자 조회 수:86001 추천:380

플라즈마에 관심있으신 모든 분이 활용하고 플라즈마의 지식을 공유할수 있는 공간을 제공한다라는 원칙을 갖고 있습니다. 따라서 의견을 개진 하실 때는 자신의 이름을 분명히 밝혀주셔야 합니다. 그럼으로써 서로 알고 있는 플라즈마의 지식을 자유롭게 공유할 수 있을 것 입니다. 이 사항을 협조하여 주지기 바랍니다. 본인의 이름을 밝히지 않는 사람의 의견은 일주일 이내에 내용이 삭제됩니다.

이 게시물을
수정 삭제 목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [158] 72991
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 17584
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 55512
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 65685
» 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 86001
115 안녕하세요 텅스텐 에치에 대해 질문드리겠습니다. 1030
114 Matcher의 효율에 대한 내용에 대해서 궁금합니다. [1] 1069
113 [CVD] 막 증착 관련 질문입니다. [4] 1081
112 PECVD 증착에서 etching 관계 [1] 1119
111 Depo시 RF 초기 Reflect 관련하여 문의드립니다. [1] 1182
110 CVD품질과 RF Delivery power 관계 질문 [1] 1202
109 Pecvd 장비 공정 질문 [1] 1232
108 doping type에 따른 ER 차이 [1] 1250
107 Ar plasma power/time [1] 1266
106 poly식각을 위한 조언 부탁드립니다. file 1287
105 압력, 유량과 residence time에 대해 질문있습니다. [1] 1299
104 wafer 두께가 증가함에 따라 Er이 급격하게 떨어지는 현상 [1] 1351
103 [RIE] reactive, non-reactive ion의 역할 [1] 1382
102 플라즈마 에칭 과 표면처리 의 차이점 질문드립니다. [1] 1439
101 [Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련] [3] 1488
100 RF FREUENCY 와 D/R 과의 상관 관계에 관한 질문입니다. [1] 1547
99 식각 시 나타나는 micro-trench 문제 [1] 1557
98 터보펌프 에러관련 [1] 1559
97 Dry etch 할때 센터와 사이드 etch rate [1] 1651
96 DRY Etcher Alram : He Flow 관점 문의 드립니다. [1] 1658
쓰기
태그

Boards

XE Login