질문하실 때 실명을 사용하여주세요.

2010.11.25 15:38

관리자 조회 수:92780 추천:380

플라즈마에 관심있으신 모든 분이 활용하고 플라즈마의 지식을 공유할수 있는 공간을 제공한다라는 원칙을 갖고 있습니다. 따라서 의견을 개진 하실 때는 자신의 이름을 분명히 밝혀주셔야 합니다. 그럼으로써 서로 알고 있는 플라즈마의 지식을 자유롭게 공유할 수 있을 것 입니다. 이 사항을 협조하여 주지기 바랍니다. 본인의 이름을 밝히지 않는 사람의 의견은 일주일 이내에 내용이 삭제됩니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [279] 76953
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20316
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57238
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68787
» 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92780
84 Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [1] 3022
83 Plasma 에칭 후 정전기 처리 [3] 3063
82 M/W, RF의 Plasma에 의한 Ashing 관련 문의드립니다. [1] 3173
81 PECVD Precursor 별 Arcing 원인 [1] 3351
80 Plasma Etch시 Wafer Edge 영향 [1] 3565
79 ICP-RIE process 및 plasma에 대해 질문있습니다. [2] 3665
78 DC스퍼터링과 RF스퍼터링에서의 처음 전자의 출처와 처음 이온의 생성 질문 [2] 3852
77 Plasma 식각 test 관련 문의 [1] 3976
76 HF + LF 사용 중, LF와 POWER와의 관계에 대한 질문입니다. [1] 3980
75 SiO2 박말 밀도와 반응성 간 상관 관계 질문 [1] 4168
74 플라즈마 색 관찰 [1] 4320
73 Dry Etching Uniformity 개선 방법 [2] 4321
72 SiO2 식각 위한 Remote Plasma Source관련 질문 드립니다. [1] 5395
71 DRAM과 NAND에칭 공정의 차이 [1] 5490
70 SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유 [1] file 5937
69 모노실란(SiH4) 분해 메카니즘 문의 6103
68 RPS를 이용한 NF3와 CF4 Etch Rate 차이 [4] 6287
67 O2 플라즈마 표면처리 관련 질문2154 [1] 6446
66 플라즈마 데미지에 관하여.. [1] 6501
65 안녕하세요, 질문드립니다. [2] 6570

Boards


XE Login