질문하실 때 실명을 사용하여주세요.

2010.11.25 15:38

관리자 조회 수:92292 추천:380

플라즈마에 관심있으신 모든 분이 활용하고 플라즈마의 지식을 공유할수 있는 공간을 제공한다라는 원칙을 갖고 있습니다. 따라서 의견을 개진 하실 때는 자신의 이름을 분명히 밝혀주셔야 합니다. 그럼으로써 서로 알고 있는 플라즈마의 지식을 자유롭게 공유할 수 있을 것 입니다. 이 사항을 협조하여 주지기 바랍니다. 본인의 이름을 밝히지 않는 사람의 의견은 일주일 이내에 내용이 삭제됩니다.

이 게시물을
수정 삭제 목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [269] 76739
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20207
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57168
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68703
» 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92292
22 PDP 방전갭에 따른 휘도에 관해 질문드려요 [1] 423
21 타겟 임피던스 값과 균일도 문제 [1] 403
20 PEALD 장비에 관해서 문의드리고 싶습니다. [1] 399
19 center to edge 문제를 극복하기 위한 방법 2 395
18 애칭 후 부산물의 양을 알고 싶습니다. [1] 387
17 텅스텐 Plasma Cleaning 효율 불량 [1] 366
16 RIE 식각공정중 발생하는 가스를 예측할 수 있는 메카니즘에 대해 질문하고싶습니다. [1] 354
15 RIE Gas 질문 하나 드려도될까요? [1] 317
14 RIE 설비 관련 질문 좀 드려도 될까요? [1] 291
13 메틸기의 플라즈마 에칭 반응 메커니즘 [1] 273
12 gas에 따른 deposition rate 및 저항질문 있습니다 [1] 252
11 Etch Plasma 관련 문의 건.. [1] 238
10 Compressive한 Wafer에 대한 질문 [1] 229
9 GWP(Global warming potential)에 따른 Etch gas 변화에 대한 질문 [1] 216
8 Cu migration 방지를 위한 스터디 [1] 208
7 AP plasma 공정 관련 문의 [1] 198
6 화장품 원료의 플라즈마 처리 문의 [1] file 186
5 플라즈마 식각 시 notching 현상 관련 [1] 183
4 FTIR분석을 이용한 SiO2성막 해석 169
3 sputtering 을 이용한 film depostion [1] 114
쓰기
태그

Boards

XE Login