안녕하세요. 저는 유니스트에 재학중인 대학원생입니다.


이전에도 ICP CVD에 대해서 질문을 올렸었는데 그때 답변을 보고 문제점이 무엇인지 알수 있었습니다. 너무나 감사합니다.


그래서 이번에도 질문이 생겨 다시한번 찾아오게 되었습니다.


이번에 궁금한 점은 ICP CVD의 sample stage나 substrate에 magnetic property가 존재할 경우 plasma의 거동이 변하는지 변한다면 어떤식으로 변하게 될지 궁금하여 질문을 드립니다.


제가 찾아본 자료들을 보면 sample stage에 bias를 걸어서 deposition rate을 조절할수 있다는 자료들을 찾아 봤었습니다.


 그러다 문득 생각난게 magnetic field도 유사한 결과를 보여줄것 같은데 이렇게 생각해도 되는지 궁금합니다.


혹시 관련된 서적이나 논문 자료등 추천해주실 만한 자료가 있으시면 염치 불구하고 부탁드리겠습니다.


감사합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [179] 74880
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 18735
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 56223
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 66683
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 87989
21 Dusty Plasma의 진단에 관해서 질문드립니다. [1] file 563
20 접착력을 위한 플라즈마 처리 관련 질문입니다 [1] 554
19 O2 플라즈마 사용에 대한 질문을 드립니다. 547
18 플라즈마 샘플 위치 헷갈림 [1] 508
17 Sticking coefficient 관련 질문입니다. [1] 500
16 전자기장 및 유체 시뮬레이션 관련 [1] 470
» magnetic substrate와 플라즈마 거동 [3] 413
14 PDP 방전갭에 따른 휘도에 관해 질문드려요 [1] 391
13 Polymer Temp Etch [1] 368
12 기판표면 번개모양 불량발생 [1] 353
11 RF Sputtering Target Issue [2] file 345
10 타겟 임피던스 값과 균일도 문제 [1] 338
9 Chamber 내 Pressure와 Fluid Density, Residence Time 거동 [1] file 314
8 Si 표면에 Ar Plasma Etching하면 안되는 이유 [1] 272
7 AlCu Dry Etch시 Dust 잔존문제 254
6 ICP Dry Etch 설비 DC bias Hunting 관련 질문드립니다. [1] 215
5 텅스텐 Plasma Cleaning 효율 불량 [1] 189
4 PEALD 장비에 관해서 문의드리고 싶습니다. [1] 116
3 RIE 식각공정중 발생하는 가스를 예측할 수 있는 메카니즘에 대해 질문하고싶습니다. [1] 113
2 Ashing 공정에 필요한 O2 plasma에 대해 궁금한 점이 있습니다. [1] 101

Boards


XE Login