Etch Plasma Etch시 Wafer Edge 영향

2017.05.15 22:58

최원우 조회 수:3565

안녕하십니까 현재 Plasma Etch 업계에 종사하고있는 사원 입니다.

Plasma Etch시 Etch Rate가 Wafer Edge(주로 140mm이상)에 굉장히 민감한데

이 현상에 대한 해석을 어떻게 해야 좋을 지 모르겠습니다.

민감하다는 표현은 조건 튜닝시 Center나 Edge나 증가하거나 감소하는 현상은 동일하나

ER Map 전체를 봤을 때 Edge에 의해서 U자형(Edge Fast)이 되거나 그 반대 (Edge Low)가 되는 현상이 나타납니다.

Chamber Wall에 의한 현상으로 보기에는 Wafer 극 Edge 쪽만 해당되기에 아닐 것으로 예상합니다.

이 현상에 대한 해석이나 참고문헌등 도움이 될만한 자료를 알려주시면 감사하겠습니다.

이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [279] 76951
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20316
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57238
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68787
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92780
29 O2 etch 후 polymer 변성에 관한 문의 file 1178
28 안녕하세요 텅스텐 에치에 대해 질문드리겠습니다. 1146
27 Vacuum Chamber(Etching) 내에서 열의 이동과 Byproduct 이동과의 관계. [2] 1135
26 etch defect 관련 질문드립니다 [1] 1102
25 RIE 장비 사용 중 dc-bias의 감소 [1] 1072
24 Si 표면에 Ar Plasma Etching하면 안되는 이유 [1] 1066
23 Sticking coefficient 관련 질문입니다. [1] 996
22 RIE 공정시에 형성되는 두 효과를 분리해 보고 싶습니다. [1] 854
21 center to edge 문제를 극복하기 위한 방법 [1] 813
20 Polymer Temp Etch [1] 682
19 [재질문]에칭에 필요한 플라즈마 가스 [1] 678
18 remote plasma 를 이용한 SiO2 etching 질문드립니다. [1] 640
17 ICP Dry Etch 설비 DC bias Hunting 관련 질문드립니다. [1] 628
16 플라즈마 샘플 위치 헷갈림 [1] 613
15 Chamber 내 Pressure와 Fluid Density, Residence Time 거동 [1] file 558
14 AlCu Dry Etch시 Dust 잔존문제 497
13 center to edge 문제를 극복하기 위한 방법 2 420
12 애칭 후 부산물의 양을 알고 싶습니다. [1] 405
11 텅스텐 Plasma Cleaning 효율 불량 [1] 373
10 RIE 식각공정중 발생하는 가스를 예측할 수 있는 메카니즘에 대해 질문하고싶습니다. [1] 368
쓰기
태그

Boards

XE Login