질문하실 때 실명을 사용하여주세요.

2010.11.25 15:38

관리자 조회 수:63532 추천:380

플라즈마에 관심있으신 모든 분이 활용하고 플라즈마의 지식을 공유할수 있는 공간을 제공한다라는 원칙을 갖고 있습니다. 따라서 의견을 개진 하실 때는 자신의 이름을 분명히 밝혀주셔야 합니다. 그럼으로써 서로 알고 있는 플라즈마의 지식을 자유롭게 공유할 수 있을 것 입니다. 이 사항을 협조하여 주지기 바랍니다. 본인의 이름을 밝히지 않는 사람의 의견은 일주일 이내에 내용이 삭제됩니다.

번호 제목 조회 수
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 217
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 48919
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 56111
» 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [1] 63532
39 O2 etch 후 polymer 변성에 관한 문의 file 317
38 Vacuum Chamber(Etching) 내에서 열의 이동과 Byproduct 이동과의 관계. [2] 251
37 [RIE] reactive, non-reactive ion의 역할 [1] 380
36 Dry etch 할때 센터와 사이드 etch rate [1] 458
35 Matcher의 효율에 대한 내용에 대해서 궁금합니다. [1] 371
34 Plasma etch관련 질문이 드립니다. [1] 430
33 안녕하세요. O2 plasma etching에 대해 궁금한 것이 있습니다. [1] 1068
32 Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [1] 936
31 압력, 유량과 residence time에 대해 질문있습니다. [1] 581
30 HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요? 1335
29 식각 시 나타나는 micro-trench 문제 [1] 1074
28 터보펌프 에러관련 [1] 1224
27 DRY Etcher Alram : He Flow 관점 문의 드립니다. [1] 777
26 챔버 임피던스 변화에 따른 공정변화 [1] 758
25 RIE 공정시에 형성되는 두 효과를 분리해 보고 싶습니다. [1] 468
24 etching에 관한 질문입니다. [1] 888
23 DRAM과 NAND에칭 공정의 차이 [1] 4208
22 Etch공정(PE mode) Vpp 변동관련. [1] 1362
21 PR wafer seasoning [1] 2203
20 wafer 두께가 증가함에 따라 Er이 급격하게 떨어지는 현상 [1] 918

Boards


XE Login