질문하실 때 실명을 사용하여주세요.

2010.11.25 15:38

관리자 조회 수:105841 추천:380

플라즈마에 관심있으신 모든 분이 활용하고 플라즈마의 지식을 공유할수 있는 공간을 제공한다라는 원칙을 갖고 있습니다. 따라서 의견을 개진 하실 때는 자신의 이름을 분명히 밝혀주셔야 합니다. 그럼으로써 서로 알고 있는 플라즈마의 지식을 자유롭게 공유할 수 있을 것 입니다. 이 사항을 협조하여 주지기 바랍니다. 본인의 이름을 밝히지 않는 사람의 의견은 일주일 이내에 내용이 삭제됩니다.

이 게시물을
수정 삭제 목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [332] 102900
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 24689
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 61429
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 73480
» 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 105841
56 Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [Flow rate와 moral ratio, resident time] [1] 3733
55 Plasma etcher particle 원인 [Particle issue와 wafer의 sheath] [1] 3593
54 HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요? 3215
53 [RIE] reactice, non-reactice ion의 역할 [Dissociation과 Ar plasma] [1] 3204
52 Al Dry Etch 후 잔류 Cl 이온 제어를 위한 후처리 방법 [Polymer coating 식각] [1] 3154
51 RIE에 관한 질문이 있습니다. [Sheath 이온 거동 및 bias power] [1] 3096
50 PR wafer seasoning [Particle balance, seasoning] [1] 2927
49 DRY Etcher Alarm : He Flow 관점 문의 드립니다. [O ring 결합부 근처 leak detect] [1] 2904
48 Dry etch 할 때 센터와 사이드 etch rate [Plasma diffusion과 distribution] [1] 2802
47 doping type에 따른 ER 차이 [MD 시뮬레이션 연구] [1] 2778
46 Etch 공정(PE mode) Vpp 변동 관련. [Self bias 형성 과정과 전자의 에너지] [1] 2737
45 etching에 관한 질문입니다. [충돌 현상 및 이온화 과정] [1] 2695
44 압력, 유량과 residence time에 대해 질문있습니다. [MFC와 residence time] [1] 2603
43 식각 시 나타나는 micro-trench 문제 [소자 식각 데미지] [1] 2530
42 wafer 두께가 증가함에 따라 Er이 급격하게 떨어지는 현상 [ER과 self bias] [1] 2277
41 터보펌프 에러관련 [터보 펌프 구동 압력] [1] 2066
40 텅스텐 Etch 관련하여 질문드립니다. [표면 화학 반응] [1] 2032
39 Plasma etch 관련 질문이 드립니다. [Sheath와 uniformity] [1] 1841
38 SI 표면에 Ar Plasma Etching 하면 안되는 이유 [표면 전처리] [1] 1801
37 Matcher의 효율에 대한 내용에 대해서 궁금합니다. [Matcher와 dynamic impedance] [1] 1780
쓰기
태그

Boards

XE Login