안녕하십니까 현재 Plasma Etch 업계에 종사하고있는 사원 입니다.

Plasma Etch시 Etch Rate가 Wafer Edge(주로 140mm이상)에 굉장히 민감한데

이 현상에 대한 해석을 어떻게 해야 좋을 지 모르겠습니다.

민감하다는 표현은 조건 튜닝시 Center나 Edge나 증가하거나 감소하는 현상은 동일하나

ER Map 전체를 봤을 때 Edge에 의해서 U자형(Edge Fast)이 되거나 그 반대 (Edge Low)가 되는 현상이 나타납니다.

Chamber Wall에 의한 현상으로 보기에는 Wafer 극 Edge 쪽만 해당되기에 아닐 것으로 예상합니다.

이 현상에 대한 해석이나 참고문헌등 도움이 될만한 자료를 알려주시면 감사하겠습니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [332] 102743
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 24678
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 61391
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 73462
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 105796
76 DC Bias Vs Self bias [전자 에너지 분포] [5] 32052
75 Dechucking 시 wafer 상의 전하 문제 24429
74 N2 플라즈마 공정 시간에 따른 Etching rate의 변화 이유가 알고 싶어요 [Cooling과 Etch rate] [2] 24197
73 Dry Etch장비에서 Vdc와 Etch rate관계 [플라즈마 및 반응기 임피던스] [1] 23257
72 Dry Etcher 에 대한 교재 [플라즈마 식각 기술] [1] 22808
71 RIE장비 에서 WALL 과 TOP 온도 20565
70 안녕하세요 반도체 공정 중 용어의 개념이 헷갈립니다. [공정 용법] [1] 18691
69 ICP 식각에 대하여… [Electronegative plasma] 17102
68 ICP와 CCP의 차이 [Self bias와 Maxwellian distribution] [3] 13082
67 에칭후 particle에서 발생하는 현상 9838
66 안녕하세요. O2 plasma etching에 대해 궁금한 것이 있습니다. [Bias power] [1] 8269
65 SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유 [ER과 energy transport] [1] file 6994
64 RPS를 이용한 NF3와 CF4 Etch Rate 차이 [물리적/화학적 세정] [4] 6977
63 SiO2 식각 위한 Remote Plasma Source관련 질문 드립니다. [반응성 기체 생성] [1] 6264
62 DRAM과 NAND 에칭 공정의 차이 ["플라즈마 식각 기술"] [1] 5940
61 플라즈마 식각 공정 중 폴리머의 거동 [재료 표면 반응] [1] 4916
60 Dry Etching Uniformity 개선 방법 [장치 구조에 따른 공간 분포] [2] 4901
59 Plasma 식각 test 관련 문의 [플라즈마 데이터 처리] [1] 4380
» Plasma Etch시 Wafer Edge 영향 [Standing wave 및 플라즈마 밀도 분포] [1] 4242
57 Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련 [Sheath 전위 형성] [3] 3835

Boards


XE Login