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[필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내
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Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법
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개인정보 노출 주의 부탁드립니다.
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kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수
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질문하실 때 실명을 사용하여주세요.
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상압플라즈마 제품 원리 질문드립니다 [I-V characteristic 방전 커브]
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식각 시 나타나는 micro-trench 문제 [소자 식각 데미지]
[1] | 2197 |
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plasma etching을 관련 문의드립니다. [반도체 공동 연구소]
[1] | 2524 |
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Wafer particle 성분 분석 [플라즈마 세정]
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고온의 플라즈마와 저온의 플라즈마의 차이 [플라즈마 물리/화학적 특성, 중성입자 거동 및 자기장 성질]
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charge effect에 대해 [Self bias 및 capacitively couple]
[2] | 1651 |
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PECVD 증착에서 etching 관계 [PECVD 증착]
[1] | 1785 |
457 |
터보펌프 에러관련 [터보 펌프 구동 압력]
[1] | 1873 |
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프리쉬스에 관한 질문입니다. [Ambipolar diffusion 및 collisionless sheath]
[1] | 706 |
455 |
부가적인 스퍼터링 관련 질문 드립니다. [라디컬의 화학반응성 및 DC 타깃 전극]
[1] | 1569 |
454 |
플라즈마 충격파 질문 [플라즈마 생성에 의한 충격파 현상]
[1] | 903 |
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ESC Cooling gas 관련 [ESC 온도 제어]
[1] | 3733 |
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O2 Plasma 에칭 실험이요
[1] | 1068 |
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플라즈마 코팅 [The Materials Science of Thin Films]
[1] | 1112 |
450 |
산소 양이온의 금속 전극 충돌 현상 [플라즈마 표면 반응]
[1] | 2682 |
449 |
수중방전에 대해 질문있습니다. [플라즈마 생성 및 방전]
[1] | 625 |
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[CVD] 막 증착 관련 질문입니다. [수소의 확산과 쉬스에 의한 가속]
[4] | 1445 |
447 |
RPS를 이용한 유기물 식각장비 문의 [반응기 내벽 변동 및 벽면 불화 정도 판단]
[1] | 871 |
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플라즈마용사코팅에서의 carrier gas [용사 코팅]
[1] | 974 |
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RF MATCHING관련 교재 추천 부탁드립니다. [플라즈마 Impedance와 matching 설계]
[1] | 949 |
정의가 중요합니다. 고온과 저온은 우리가 생각하는 온도 범위와는 차이가 큽니다. 여기서는 주로 eV 에너지 단위를 사용해서 온도를 표시합니다. 일반적으로 온도는 플라즈마 전자의 온도로 가정해도 좋습니다.. 따라서 저온 플라즈마는 (<10eV) 정도의 전자의 열평형상태를 대표하는 온도이며, 이는 주로 산업용으로 쓰이는 플라즈마를 의미합니다. 전자에너지가 낮음은 플라즈마가 모두 이온화 되어 있지 않다는 의미이기 도하며, 이온화율을 1% 정도에서 10% 정도까지, 또는 그 미만으로 부분적으로 이온화된 상태 (partially ionization), 플라즈마 전자+이온+대부분의 중성입자 (라디털포함)으로 이뤄진 상태입니다. 반면 고온 플라즈마는 핵융합 플라즈마와 같이 전자 온도가 수십 keV를 넘는 플라즈마이며 이정도 온도를 가졌기에 대부분의 가스입자들이 완전히 이온화가 된 상태, fully ionization 상태를 의미하게 됩니다. 따라서 저온 플라즈마에서는 플라즈마의 물리적 특성과 함께 화학적 특성과 중성입자의 거동을 함께 고려해야 하며, 고온 플라즈마에서는 주로 물리적 특성과, 대부분이 자화된 상태로 구속되어 있으므로 자기장에서의 성질을 함께 고려해야 한다는 의미를 함축하고 있습니다.