질문하실 때 실명을 사용하여주세요.

2010.11.25 15:38

관리자 조회 수:105943 추천:380

플라즈마에 관심있으신 모든 분이 활용하고 플라즈마의 지식을 공유할수 있는 공간을 제공한다라는 원칙을 갖고 있습니다. 따라서 의견을 개진 하실 때는 자신의 이름을 분명히 밝혀주셔야 합니다. 그럼으로써 서로 알고 있는 플라즈마의 지식을 자유롭게 공유할 수 있을 것 입니다. 이 사항을 협조하여 주지기 바랍니다. 본인의 이름을 밝히지 않는 사람의 의견은 일주일 이내에 내용이 삭제됩니다.

이 게시물을
수정 삭제 목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [333] 103307
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 24714
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 61522
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 73517
» 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 105943
194 플라즈마 식각 커스핑 식각량 226
193 ExB drift 식 유도 과정에서의 질문 [삼각함수의 위상각] [1] 349
192 RF sputtering reflect power에 대해서 질문 남깁니다. 377
191 Ni DC 스퍼터 관련 질문있습니다. [Base pressure 이해] [1] 409
190 화장품 원료의 플라즈마 처리 문의 [환경 플라즈마] [1] file 416
189 Wafer Capacitance 성분과 Vdc 관계 문의드립니다. [Sheath 크기 및 전위 분포] [1] 433
188 AP plasma 공정 관련 문의 [OES 활용 장비 플라즈마 데이터 분석] [1] 436
187 HF PLASMA DEPOSITION 시 POWER에 따른 DEP RATE 변화 [장비 플라즈마, Rate constant] [1] 458
186 Compressive한 Wafer에 대한 질문 [박막] [1] 463
185 Debey Length에 대해 문의 드립니다. [플라즈마 정의와 Deybe length] [1] 470
184 FTIR분석을 이용한 SiO2성막 해석 480
183 가스 조성 및 온도에 따른 식각률 관련 질문입니다. [Arrhenius equation 이해] [1] 487
182 ICP 장비 TCP Reflect 발생 간 조언 부탁드립니다. [1] 498
181 Sputtering을 이용한 film deposition [진공 및 오염입자의 최소화] [1] 540
180 gas에 따른 deposition rate 및 저항질문 있습니다 [박막 문제] [1] 564
179 III-V 반도체 에칭 공정 문의 [1] 587
178 타겟 임피던스 값과 균일도 문제 [플라즈마 확산] [1] 590
177 RIE 설비 관련 질문 좀 드려도 될까요? [RF matcher noise] [1] 591
176 Cu migration 방지를 위한 스터디 [전자재료] [1] 595
175 Wafer 영역별 E/R 차이에 대한 질문 [Gas flow system vs E/R] [1] 603
쓰기
태그

Boards

XE Login