질문하실 때 실명을 사용하여주세요.

2010.11.25 15:38

관리자 조회 수:93635 추천:380

플라즈마에 관심있으신 모든 분이 활용하고 플라즈마의 지식을 공유할수 있는 공간을 제공한다라는 원칙을 갖고 있습니다. 따라서 의견을 개진 하실 때는 자신의 이름을 분명히 밝혀주셔야 합니다. 그럼으로써 서로 알고 있는 플라즈마의 지식을 자유롭게 공유할 수 있을 것 입니다. 이 사항을 협조하여 주지기 바랍니다. 본인의 이름을 밝히지 않는 사람의 의견은 일주일 이내에 내용이 삭제됩니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [303] 78039
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20849
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57737
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 69253
» 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 93635
192 HF PLASMA DEPOSITION 시 POWER에 따른 DEP RATE 변화 [1] 12
191 ExB drift 식 유도 과정에서의 질문 [삼각함수의 위상각] [1] 45
190 RF sputtering reflect power에 대해서 질문 남깁니다. 48
189 Dielectric Etcher(CCP)에서 사용하는 주파수 [2] 53
188 가스 조성 및 온도에 따른 식각률 관련 질문입니다. [Arrhenius equation 이해] [1] 58
187 플라즈마 식각 커스핑 식각량 77
186 Debey Length에 대해 문의 드립니다. [플라즈마 정의와 Deybe length] [1] 85
185 자성 물질 Etching 시 Process Parameter 질문 [부착물의 흡착 관리] [1] 106
184 Ni DC 스퍼터 관련 질문있습니다. [Base pressure 이해] [1] 113
183 Wafer Capacitance 성분과 Vdc 관계 문의드립니다. [Sheath 크기 및 전위 분포] [1] 137
182 공정 DATA TARGET 간 난제가 있어 문의드립니다. [Sheath uniformity 이해] [1] 148
181 Sputtering을 이용한 film deposition [진공 및 오염입자의 최소화] [1] 213
180 화장품 원료의 플라즈마 처리 문의 [1] file 215
179 FTIR분석을 이용한 SiO2성막 해석 231
178 AP plasma 공정 관련 문의 [OES 활용 장비 플라즈마 데이터 분석] [1] 232
177 Compressive한 Wafer에 대한 질문 [1] 268
176 플라즈마 식각 시 notching 현상 관련 [Ar, O2 플라즈마 생성 특성] [1] 276
175 GWP(Global warming potential)에 따른 Etch gas 변화에 대한 질문 [1] 279
174 Cu migration 방지를 위한 스터디 [전자재료] [1] 280
173 gas에 따른 deposition rate 및 저항질문 있습니다 [박막 문제] [1] 317

Boards


XE Login