질문하실 때 실명을 사용하여주세요.
2010.11.25 15:38
플라즈마에 관심있으신 모든 분이 활용하고 플라즈마의 지식을 공유할수 있는 공간을 제공한다라는 원칙을 갖고 있습니다. 따라서 의견을 개진 하실 때는 자신의 이름을 분명히 밝혀주셔야 합니다. 그럼으로써 서로 알고 있는 플라즈마의 지식을 자유롭게 공유할 수 있을 것 입니다. 이 사항을 협조하여 주지기 바랍니다. 본인의 이름을 밝히지 않는 사람의 의견은 일주일 이내에 내용이 삭제됩니다.
댓글 3
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [269] | 76739 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20211 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57168 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68703 |
» | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92294 |
182 | Ni DC 스퍼터 관련 질문있습니다. [1] | 60 |
181 | 자성 물질 Etching 시 Process Parameter 질문 [1] | 65 |
180 | sputtering 을 이용한 film depostion [1] | 114 |
179 | FTIR분석을 이용한 SiO2성막 해석 | 169 |
178 | 플라즈마 식각 시 notching 현상 관련 [1] | 183 |
177 | 화장품 원료의 플라즈마 처리 문의 [1] | 186 |
176 | AP plasma 공정 관련 문의 [1] | 198 |
175 | Cu migration 방지를 위한 스터디 [1] | 209 |
174 | GWP(Global warming potential)에 따른 Etch gas 변화에 대한 질문 [1] | 216 |
173 | Compressive한 Wafer에 대한 질문 [1] | 233 |
172 | Etch Plasma 관련 문의 건.. [1] | 238 |
171 | gas에 따른 deposition rate 및 저항질문 있습니다 [1] | 252 |
170 | 메틸기의 플라즈마 에칭 반응 메커니즘 [1] | 273 |
169 | RIE 설비 관련 질문 좀 드려도 될까요? [1] | 291 |
168 | RIE Gas 질문 하나 드려도될까요? [1] | 317 |
167 | RIE 식각공정중 발생하는 가스를 예측할 수 있는 메카니즘에 대해 질문하고싶습니다. [1] | 354 |
166 | 텅스텐 Plasma Cleaning 효율 불량 [1] | 366 |
165 | 애칭 후 부산물의 양을 알고 싶습니다. [1] | 387 |
164 | center to edge 문제를 극복하기 위한 방법 2 | 395 |
163 | PEALD 장비에 관해서 문의드리고 싶습니다. [1] | 399 |