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[필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내
[269]
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Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법
| 20202 |
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개인정보 노출 주의 부탁드립니다.
| 57168 |
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kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수
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질문하실 때 실명을 사용하여주세요.
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전자 온도 구하기
[1] | 1131 |
607 |
공정 진행 중 의도적인 섭동 효과에 대해서 질문 드립니다.
[1] | 319 |
606 |
CVD 공정에서의 self bias
[1] | 3100 |
605 |
PP & PET 친수성과 접착성 유지 질문입니다.
[1] | 3324 |
604 |
잔류시간 Residence Time에 대해
[1] | 1118 |
603 |
공정 진행 중간에 60Mhz만 Ref가 튀는 현상 관련하여 답변 정말 감사합니다!
| 1861 |
602 |
ESC Polymer cracking 제거를 위한 ISD 공정 문의
| 1419 |
601 |
공정 진행 중간에 60Mhz만 Ref가 튀는 현상 관련하여 어떤 이유들이 있을까요..?
[2] | 1081 |
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CCP에서 접지된 전극에 기판을 놓았을 때 반응
[1] | 973 |
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Edge ring과 플라즈마 밀도 균일성
[1] | 1751 |
598 |
[Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련]
[3] | 2744 |
597 |
매칭시 Shunt와 Series 값
[1] | 1849 |
596 |
RF Power와 균일도 연관성 질문드립니다.
[2] | 3299 |
595 |
구 대칭으로 편광된 전자기파를 조사할 때에 대한 질문입니다.
[1] | 225 |
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CCP에서 전극에 쌓이는 막질에 의한 Capacitance 변화가 궁금합니다
[1] | 2343 |
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low pressure 영역에서 아킹이 더 쉽게 발생하는 이유에 관해 문의드립니댜.
[1] | 1354 |
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안녕하세요? 임피던스 매칭관련 질문드립니다.
[1] | 2320 |
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electron energy distribution에 대해서 질문드립니다.
[2] | 3204 |
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안녕하세요 플라즈마의 원초적인 개념에서 궁금한 점이 생겨서 질문드립니다.
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정의가 중요합니다. 고온과 저온은 우리가 생각하는 온도 범위와는 차이가 큽니다. 여기서는 주로 eV 에너지 단위를 사용해서 온도를 표시합니다. 일반적으로 온도는 플라즈마 전자의 온도로 가정해도 좋습니다.. 따라서 저온 플라즈마는 (<10eV) 정도의 전자의 열평형상태를 대표하는 온도이며, 이는 주로 산업용으로 쓰이는 플라즈마를 의미합니다. 전자에너지가 낮음은 플라즈마가 모두 이온화 되어 있지 않다는 의미이기 도하며, 이온화율을 1% 정도에서 10% 정도까지, 또는 그 미만으로 부분적으로 이온화된 상태 (partially ionization), 플라즈마 전자+이온+대부분의 중성입자 (라디털포함)으로 이뤄진 상태입니다. 반면 고온 플라즈마는 핵융합 플라즈마와 같이 전자 온도가 수십 keV를 넘는 플라즈마이며 이정도 온도를 가졌기에 대부분의 가스입자들이 완전히 이온화가 된 상태, fully ionization 상태를 의미하게 됩니다. 따라서 저온 플라즈마에서는 플라즈마의 물리적 특성과 함께 화학적 특성과 중성입자의 거동을 함께 고려해야 하며, 고온 플라즈마에서는 주로 물리적 특성과, 대부분이 자화된 상태로 구속되어 있으므로 자기장에서의 성질을 함께 고려해야 한다는 의미를 함축하고 있습니다.