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[필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내
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Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법
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개인정보 노출 주의 부탁드립니다.
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kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수
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질문하실 때 실명을 사용하여주세요.
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CVD (CCP) 공정의 Chamber seasoning과 플라즈마 밀도 [Plasma information variable model]
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라디컬의 재결합 방지 [해리 반응상수]
[1] | 1110 |
610 |
LF Power에의한 Ion Bombardment [플라즈마 장비 물리]
[2] | 2804 |
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PECVD와 RIE의 경계에 대해 [DC bias 형성 판단]
[1] | 2070 |
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전자 온도 구하기 [쉬스 전압, 스퍼터링 효과]
[1] | 1635 |
607 |
공정 진행 중 의도적인 섭동 효과에 대해서 질문 드립니다. [Rise rate]
[1] | 521 |
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CVD 공정에서의 self bias [이차 전자 생성, 입사 이온 에너지 분포]
[1] | 3948 |
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PP & PET 친수성과 접착성 유지 질문입니다. [소수/친수성 조절 연구]
[1] | 3584 |
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잔류시간 Residence Time에 대해 [표면 유속 정보, 유체해석 코드]
[1] | 1673 |
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공정 진행 중간에 60Mhz만 Ref가 튀는 현상 관련하여 답변 정말 감사합니다!
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ESC Polymer cracking 제거를 위한 ISD 공정 문의
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공정 진행 중간에 60Mhz만 Ref가 튀는 현상 관련하여 어떤 이유들이 있을까요..? [Chamber impedance]
[2] | 1462 |
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CCP에서 접지된 전극에 기판을 놓았을 때 반응 [Self bias]
[1] | 1418 |
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Edge ring과 플라즈마 밀도 균일성 [플라즈마 생성 분포와 sheath 전기장]
[1] | 2407 |
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Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련 [Sheath 전위 형성]
[3] | 3845 |
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매칭시 Shunt와 Series 값 [RF 전원 전력 전달 및 Load/Tune 계산]
[1] | 2812 |
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RF Power와 균일도 연관성 질문드립니다 [고주파 플라즈마 반응 특성]
[2] | 4309 |
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구 대칭으로 편광된 전자기파를 조사할 때에 대한 질문입니다. [초고밀도 플라즈마]
[1] | 424 |
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CCP에서 전극에 쌓이는 막질에 의한 Capacitance 변화가 궁금합니다. [플라즈마 특성변화와 SH impedance 변화]
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정의가 중요합니다. 고온과 저온은 우리가 생각하는 온도 범위와는 차이가 큽니다. 여기서는 주로 eV 에너지 단위를 사용해서 온도를 표시합니다. 일반적으로 온도는 플라즈마 전자의 온도로 가정해도 좋습니다.. 따라서 저온 플라즈마는 (<10eV) 정도의 전자의 열평형상태를 대표하는 온도이며, 이는 주로 산업용으로 쓰이는 플라즈마를 의미합니다. 전자에너지가 낮음은 플라즈마가 모두 이온화 되어 있지 않다는 의미이기 도하며, 이온화율을 1% 정도에서 10% 정도까지, 또는 그 미만으로 부분적으로 이온화된 상태 (partially ionization), 플라즈마 전자+이온+대부분의 중성입자 (라디털포함)으로 이뤄진 상태입니다. 반면 고온 플라즈마는 핵융합 플라즈마와 같이 전자 온도가 수십 keV를 넘는 플라즈마이며 이정도 온도를 가졌기에 대부분의 가스입자들이 완전히 이온화가 된 상태, fully ionization 상태를 의미하게 됩니다. 따라서 저온 플라즈마에서는 플라즈마의 물리적 특성과 함께 화학적 특성과 중성입자의 거동을 함께 고려해야 하며, 고온 플라즈마에서는 주로 물리적 특성과, 대부분이 자화된 상태로 구속되어 있으므로 자기장에서의 성질을 함께 고려해야 한다는 의미를 함축하고 있습니다.