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[필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내
[268]
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공지 |
Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법
| 20184 |
공지 |
개인정보 노출 주의 부탁드립니다.
| 57167 |
공지 |
kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수
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공지 |
질문하실 때 실명을 사용하여주세요.
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플라즈마를 이용한 오존 발생기 개발 문의 件
[1] | 960 |
568 |
연속 plasma 방전시 RF power drop 및 Reflect 발생
[1] | 1486 |
567 |
O2 etch 후 polymer 변성에 관한 문의
| 1156 |
566 |
ESC Chuck 기능이 Wafer 위에서의 Chemical Bond 생성을 boosting 할 수 있는지 궁금합니다.
[1] | 5528 |
565 |
연면거리에 대해 궁금합니다.
[1] | 844 |
564 |
압력 변화와 Ch Impedance 상관관계 질문
[1] | 1703 |
563 |
플라즈마볼 제작시
[1] | 2236 |
562 |
안녕하십니까 파워업체 연구원 입니다. (챔버쪽 임피던스 검출)
[1] | 2579 |
561 |
Bais 인가 Cable 위치 관련 문의
[1] | 546 |
560 |
Etcher Chamber Wall에 의도적으로 Polymer를 증착시키고 싶습니다.
[2] | 3325 |
559 |
좁은 간격 CCP 전원의 플라즈마 분포 논문에 대해 궁금한 점이 있습니다.
[2] | 16654 |
558 |
알고싶습니다
[1] | 1457 |
557 |
교수님 안녕하세요, icp 관련 질문이 있습니다.
[2] | 2314 |
556 |
Shield 및 housing은 ground 와 floating 중 어떤게 더 좋은지요
[2] | 949 |
555 |
안녕하세요 OLED 증착 시 궁금한점이있어 문의드립니다
[2] | 755 |
554 |
Edge ring 없이 ESC를 구현 가능한지 궁금해서 여쭤봅니다.
[2] | 2819 |
553 |
PECVD 공정 진행중 chamber wall 부분에서 보이는 plasma instability 관련 질문 드립니다.
[1] | 1441 |
552 |
안녕하세요. 교수님 ICP관련하여 문의드립니다.
[2] | 2476 |
551 |
접착력을 위한 플라즈마 처리 관련 질문입니다
[1] | 696 |
550 |
전극에 따른 힘의 크기 질문드립니다.
[1] | 1598 |
정의가 중요합니다. 고온과 저온은 우리가 생각하는 온도 범위와는 차이가 큽니다. 여기서는 주로 eV 에너지 단위를 사용해서 온도를 표시합니다. 일반적으로 온도는 플라즈마 전자의 온도로 가정해도 좋습니다.. 따라서 저온 플라즈마는 (<10eV) 정도의 전자의 열평형상태를 대표하는 온도이며, 이는 주로 산업용으로 쓰이는 플라즈마를 의미합니다. 전자에너지가 낮음은 플라즈마가 모두 이온화 되어 있지 않다는 의미이기 도하며, 이온화율을 1% 정도에서 10% 정도까지, 또는 그 미만으로 부분적으로 이온화된 상태 (partially ionization), 플라즈마 전자+이온+대부분의 중성입자 (라디털포함)으로 이뤄진 상태입니다. 반면 고온 플라즈마는 핵융합 플라즈마와 같이 전자 온도가 수십 keV를 넘는 플라즈마이며 이정도 온도를 가졌기에 대부분의 가스입자들이 완전히 이온화가 된 상태, fully ionization 상태를 의미하게 됩니다. 따라서 저온 플라즈마에서는 플라즈마의 물리적 특성과 함께 화학적 특성과 중성입자의 거동을 함께 고려해야 하며, 고온 플라즈마에서는 주로 물리적 특성과, 대부분이 자화된 상태로 구속되어 있으므로 자기장에서의 성질을 함께 고려해야 한다는 의미를 함축하고 있습니다.