질문하실 때 실명을 사용하여주세요.

2010.11.25 15:38

관리자 조회 수:82184 추천:380

플라즈마에 관심있으신 모든 분이 활용하고 플라즈마의 지식을 공유할수 있는 공간을 제공한다라는 원칙을 갖고 있습니다. 따라서 의견을 개진 하실 때는 자신의 이름을 분명히 밝혀주셔야 합니다. 그럼으로써 서로 알고 있는 플라즈마의 지식을 자유롭게 공유할 수 있을 것 입니다. 이 사항을 협조하여 주지기 바랍니다. 본인의 이름을 밝히지 않는 사람의 의견은 일주일 이내에 내용이 삭제됩니다.

이 게시물을
수정 삭제 목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [102] 3672
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 15355
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 50581
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 63008
» 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [2] 82184
429 안녕하세요 교수님. ICP관련하여 문의드립니다. [1] 1312
428 ICP와 CCP에서의 Breakendown voltage [1] 1333
427 DRY Etcher Alram : He Flow 관점 문의 드립니다. [1] 1344
426 ICP power와 ion energy사이의 관계에 대해서 문의드립니다. [2] 1345
425 플라즈마 관련 기초지식 [1] 1345
424 ICP 내부 기체 비율에 따른 spectrum intensity 변화 [1] 1355
423 Remote Plasma 가 가능한 이온 [1] 1356
422 식각 시 나타나는 micro-trench 문제 [1] 1361
421 임피던스 실수부에 대해 궁금한 점이 있습니다. [4] 1384
420 N2 Blowing Ionizer 사용 시 궁금점 질문 드립니다. [1] 1393
419 질문있습니다. [1] 1399
418 etching에 관한 질문입니다. [1] 1402
417 다중 주파수를 이용한 플라즈마 식각에서 이온 에너지 제어 관련 [1] 1423
416 RF FREUENCY 와 D/R 과의 상관 관계에 관한 질문입니다. [1] 1436
415 RF PLASMA를 사용한 J.R ESC DECHUCK에 대하여 문의드립니다. [1] 1438
414 터보펌프 에러관련 [1] 1446
413 플라즈마 띄울때..ㅠㅠ!!? [1] 1490
412 Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [1] 1494
411 공정 진행 중간에 60Mhz만 Ref가 튀는 현상 관련하여 답변 정말 감사합니다! 1500
410 CVD CCP/ICP 사용간 Wafet Bias volt 줄어듬 현상 문의드려요 [1] 1505
쓰기
태그

Boards

XE Login