안녕하세요 박사님. 플라즈마 장비를 다루는 반도체 장비 회사에 다니는 연구원입니다.

항상 좋은 글 잘 보고 있습니다.

 

다름이 아니라 저희가 현재 유입하는 Gas의 유량을 조절하여 이것이 공정에 어떤 영향을 끼치는지 분석하고 있습니다.

 

저희가 펌프의 Valve를 고정해놓고 실험을 했기 때문에 유입시키는 Gas 양을 줄이면서 자연스럽게 Pressure 또한 줄어 들었는데,

이 때 Gas의 Residence Time 이 어떻게 변하는지 궁금합니다.

 

같은 양의 Gas라고 하더라도 Residence time에 따라 공정 결과 값이 바뀔 것 같은데 

이 Residence time은 어떻게 구할 수 있을까요?

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [303] 78037
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20846
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57737
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 69253
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 93631
579 DC Plasma 전자 방출 메커니즘 1074
578 진학으로 고민이 있습니다. [2] 1080
577 리모트 플라스마 소스 AK 부품 수출 관련 질문 입니다 반도체 장비 부풉ㅁ 1082
576 Sticking coefficient 관련 질문입니다. [1] 1084
575 CCP Plasma 해석 관련 문의 [1] file 1091
574 고전압 방전 전기장 내 측정 [1] file 1096
573 Decoupled Plasma 관련 질문입니다. [1] 1099
572 HEATER 교체 이후 SELF BIAS 상승관련 문의 [1] 1120
571 Plasma Etching 교재 추천 부탁드립니다.. [3] 1130
570 Dechucking과 He gas의 관계 질문입니다. [1] 1134
569 Plasma Arching [1] 1138
568 RIE 장비 사용 중 dc-bias의 감소 [1] 1140
567 DC Magnetron Sputter 플라즈마 진단 [1] 1144
566 공정 진행 중간에 60Mhz만 Ref가 튀는 현상 관련하여 어떤 이유들이 있을까요..? [2] 1157
565 자기 거울에 관하여 1158
564 안녕하세요 텅스텐 에치에 대해 질문드리겠습니다. 1163
563 플라즈마 주파수 예측관련 질문드립니다 [1] 1177
562 Vacuum Chamber(Etching) 내에서 열의 이동과 Byproduct 이동과의 관계. [2] 1181
561 Group Delay 문의드립니다. [1] 1187
560 etch defect 관련 질문드립니다 [1] 1187

Boards


XE Login