반도체 공정과 관련하여 DIFF 공정 진행 간, TEMP와 RF 간에 상관 관계가 궁금하여 문의 드립니다.

NH3의 분해와 관련하여 상온 기준 RF POWER를 인가한다고 했을때 분해 가능한 수준이 어느 정도인지 궁금합니다.(W 기준)

그리고 추가로 문의 드리고 싶은 사항은 TEMP와 RF 간에 상관 관계입니다. TEMP가 변화하는 정도에 따른 RF의 변화 정도가 어떻게 되는지 궁금해서 문의 드립니다.

정답이 힘들다면 참고 및 이해할 수 있는 답변을 좀 부탁 드립니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [271] 76791
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20229
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57178
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68723
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92434
531 플라즈마 챔버 [2] 1247
530 임피던스 매칭 및 플라즈마 진단 [1] 1273
529 ICP Chamber Type의 Belljar Arcing관련 문의드립니다. [2] 1274
528 플라즈마 기초입니다 [1] 1285
527 플라즈마에서 가속 전압 또는 RF 파워 관련 질문드려요. [1] 1294
526 [CVD] 막 증착 관련 질문입니다. [4] 1301
525 Wafer Warpage에 따른 CCP Type Chamber 내부 Impedance [1] 1305
524 텅스텐 Etch 관련하여 질문드립니다. [1] 1318
523 플라즈마 진단에서 rogowski 코일 관련 질문 드립니다. [1] 1320
522 I-V characteristic에 관하여 질문이 있습니다. [1] 1320
521 CCP 챔버 접지 질문드립니다. [1] file 1328
520 DBDs 액츄에이터에 관한 질문입니다. [3] 1331
519 ICP-RIE etch에 관해서 여쭤볼것이 있습니다!! [1] 1335
518 CVD 막질의 성질에 대해 질문드립니다. [1] 1336
517 Langmuir probe의 위치에 관한 질문입니다. [3] 1350
516 Plasma Cleaning 관련 문의 [1] 1351
515 low pressure 영역에서 아킹이 더 쉽게 발생하는 이유에 관해 문의드립니댜. [1] 1355
514 Plasma arcing 관련하여 문의드립니다. [1] 1359
513 OES 분석 관련해서 질문드립니다. [1] 1376
512 [질문] Plasma 장비에 대한 Monitoring 질문 [2] 1377

Boards


XE Login