안녕하세요. 교수님.

국내 반도체장비 업체에서 Plasma etch 설비를 운용하고 있는 연구원입니다.

설비를 운용하다 궁금한 사항이 있어 문의드립니다.


1. RF Bias에 의해 etch가 진행되는 경우, wafer가 안착되는 Chuck의 면적과 Etch량과의 상관관계가 있는지 문의드립니다.

  

2. 1번과 비슷한 질문입니다. 12inch /8inch 2wafer가 아닌 Panel type의 etch를 진행할 때,

    가로와 세로의 길이가 다른경우(ex 300x400mm), 300mm의 edge면과 400mm의 edge면의 E/A가 달라질 수 있는건지 문의드립니다.


항상 도움이되는 답변감사드립니다.

즐거운 하루 보내세요.


번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [303] 78037
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20847
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57737
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 69253
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 93631
559 RF 반사파와 이물과의 관계 [1] 1191
558 쉬쓰 천이지역에 관한 질문입니다. [1] 1192
557 wafer bias [1] 1196
556 공정플라즈마 [1] 1199
555 엘립소미터 측정관련해서 질문이 있습니다. [1] 1203
554 대학원 진학 질문 있습니다. [2] 1205
553 Si 표면에 Ar Plasma Etching하면 안되는 이유 [1] 1205
552 O2 etch 후 polymer 변성에 관한 문의 file 1211
551 식각 가스 사용 챔버의 잔류 flourine cleaning 혹은 conditioning 방법 질문 [1] 1220
550 전자밀도 크기에 대하여 질문드립니다. (Ar, O2, N2 가스) [1] 1223
549 산소 플라즈마 처리 관하여 질문드립니다. [1] 1224
548 챔버 임피던스 변화에 따른 공정변화 [1] 1227
547 전자 온도 구하기 [1] file 1227
546 잔류시간 Residence Time에 대해 [1] 1234
545 ICP, CCP 그리고 Ion Implantation 공정 관련 질문 드립니다. [1] 1239
544 Uniformity 관련하여 문의드립니다. [1] 1245
543 MFP와 Sheath 관련하여 추가 질문 드립니다. [1] 1250
542 micro plasma에 사용되는 전력을 알고 싶습니다. [1] 1259
541 플라즈마의 직진성에 관해 질문드립니다. [2] 1274
540 RF Generator 주파주에 따른 Mathcer Vrms 변화. [1] 1277

Boards


XE Login