다른 질문사항에 Matcher 매칭회로에서 Load, Tune에 관한 설명을 봤는데요

공정을 진행하다보면 간헐적으로 Load, Tune 값이 바뀌며 Vpp drop이 발생합니다.

PEALD 장비에서 Load와 Tune 값에 영향을 미치는 요소들이 뭐가 있을지 궁금합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [279] 77041
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20364
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57279
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68826
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92826
501 Ar plasma power/time [1] 1448
500 ESC Polymer cracking 제거를 위한 ISD 공정 문의 1452
499 강의를 들을 수 없는건가요? [2] 1458
498 Plasma 발생영역에 관한 질문 [2] 1461
497 플라즈마 rotational temperature에 관해서 질문드릴게 있습니다. [1] 1470
496 rf chamber 내에 생기는 byproduct에 대한 질문 있습니다. [1] 1470
495 RF 케이블 발열 현상관련 문의 드립니다. 1472
494 Impedence 위상관련 문의.. [1] 1474
493 알고싶습니다 [1] 1474
492 Ashing 공정에 필요한 O2 plasma에 대해 궁금한 점이 있습니다. [1] 1477
491 ICP lower power 와 RF bias [1] 1486
490 charge effect에 대해 [2] 1487
489 PECVD와 RIE의 경계에 대해 [1] 1489
488 N2 / N2O Gas 사용시 Plamsa 차이점 [1] 1494
487 연속 plasma 방전시 RF power drop 및 Reflect 발생 [1] 1524
486 PECVD 증착에서 etching 관계 [1] 1531
485 glow 방전 현상과 플라즈마 현상에 궁금하여 글 남깁니다. [2] 1538
484 데포 중 RF VDC DROP 현상 [1] 1542
483 IMPEDANCE MATCHING PATH에서 S/H ~ MATCHER 간 전력전송 방법들에 대해 문의드립니다. [2] 1542
482 plasma 형성 관계 [1] 1562

Boards


XE Login