다른 질문사항에 Matcher 매칭회로에서 Load, Tune에 관한 설명을 봤는데요

공정을 진행하다보면 간헐적으로 Load, Tune 값이 바뀌며 Vpp drop이 발생합니다.

PEALD 장비에서 Load와 Tune 값에 영향을 미치는 요소들이 뭐가 있을지 궁금합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [303] 78037
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20847
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57737
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 69253
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 93631
519 ECR 플라즈마에 대해서 질문 드립니다. [1] 2381
518 Plasma Dechuck Process가 궁금합니다. 17763
517 HEATER 교체 이후 SELF BIAS 상승관련 문의 [1] 1120
516 Vpp, Vdc 측정관련 문의 [1] 3824
515 간단한 질문 몇개드립니다. [1] 610
514 matcher에서 load,tune의 역할이 궁금합니다. [1] 10836
513 Si Wafer에 Plasma를 처리했을때 정전기 발생 [1] 849
512 Hollow Cathode glow Discharge 실험 관련해서 여쭤보고싶습니다. [1] file 807
511 에쳐장비HF/LF 그라운드 관련 [1] 19826
510 매쳐 출력값 검토 부탁 드립니다. [1] 881
509 ICP-RIE process 및 plasma에 대해 질문있습니다. [2] 3764
508 진학으로 고민이 있습니다. [2] 1080
507 플라즈마 형성시 하전입자의 밀도와 챔버에 관련해서 질문드립니다. [2] 1300
506 Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [1] 3161
505 전자기장 및 유체 시뮬레이션 관련 [1] 584
504 ICP reflecot power 관련 질문드립니다. [1] 1694
503 압력, 유량과 residence time에 대해 질문있습니다. [1] 2091
502 Arcing(아킹) 현상 및 local plasma 관련 문의 [1] 12025
501 Ar과 O2 plasma source에 따른 ignition condition에 대하여 질문 있습니다. [1] 2500
500 공정플라즈마 [1] 1199

Boards


XE Login