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[필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내
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공지 |
Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법
| 20261 |
공지 |
개인정보 노출 주의 부탁드립니다.
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kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수
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공지 |
질문하실 때 실명을 사용하여주세요.
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O2, N2, Ar 플라즈마에 대한 질문입니다.
[2] | 6216 |
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자료 요청드립니다.
[1] | 6209 |
475 |
모노실란(SiH4) 분해 메카니즘 문의
| 6086 |
474 |
코로나방전, 이온풍 관련 문의 드립니다.
[1] | 6036 |
473 |
OES를 활용한 excitation temperature 분석 질문입니다.
[1] | 5936 |
472 |
안녕하세요. ICP 플라즈마의 임피던스를 측정하는 방법에 대해서 문의를 드립니다.
[3] | 5926 |
471 |
SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유
[1] | 5896 |
470 |
RF calibration에 대해 질문드립니다.
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RF Vpp 관련하여 문의드립니다.
[1] | 5684 |
468 |
ESC Chuck 기능이 Wafer 위에서의 Chemical Bond 생성을 boosting 할 수 있는지 궁금합니다.
[1] | 5569 |
467 |
DRAM과 NAND에칭 공정의 차이
[1] | 5469 |
466 |
SiO2 식각 위한 Remote Plasma Source관련 질문 드립니다.
[1] | 5319 |
465 |
RF power에 대한 설명 요청드립니다.
[1] | 5178 |
464 |
매쳐에서의 load, tune에 대하여 좀 가르쳐 주세요~
[1] | 5085 |
463 |
CCP 설비에서 Vdc, Vpp과 Power에 대해 문의드립니다.
[1] | 5048 |
462 |
Sheath 길이와 전자의 온도 및 MFP간의 관계에 대해 질문 드립니다.
[1] | 4837 |
461 |
챔버내 Arcing 발생 개선안에 대해 질문드립니다.
[3] | 4513 |
460 |
ESC 사용하는 PVD 에서 Center tap bias의 역할
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Dry Etching Uniformity 개선 방법
[2] | 4292 |
458 |
플라즈마 색 관찰
[1] | 4286 |
정의가 중요합니다. 고온과 저온은 우리가 생각하는 온도 범위와는 차이가 큽니다. 여기서는 주로 eV 에너지 단위를 사용해서 온도를 표시합니다. 일반적으로 온도는 플라즈마 전자의 온도로 가정해도 좋습니다.. 따라서 저온 플라즈마는 (<10eV) 정도의 전자의 열평형상태를 대표하는 온도이며, 이는 주로 산업용으로 쓰이는 플라즈마를 의미합니다. 전자에너지가 낮음은 플라즈마가 모두 이온화 되어 있지 않다는 의미이기 도하며, 이온화율을 1% 정도에서 10% 정도까지, 또는 그 미만으로 부분적으로 이온화된 상태 (partially ionization), 플라즈마 전자+이온+대부분의 중성입자 (라디털포함)으로 이뤄진 상태입니다. 반면 고온 플라즈마는 핵융합 플라즈마와 같이 전자 온도가 수십 keV를 넘는 플라즈마이며 이정도 온도를 가졌기에 대부분의 가스입자들이 완전히 이온화가 된 상태, fully ionization 상태를 의미하게 됩니다. 따라서 저온 플라즈마에서는 플라즈마의 물리적 특성과 함께 화학적 특성과 중성입자의 거동을 함께 고려해야 하며, 고온 플라즈마에서는 주로 물리적 특성과, 대부분이 자화된 상태로 구속되어 있으므로 자기장에서의 성질을 함께 고려해야 한다는 의미를 함축하고 있습니다.