안녕하십니까 현재 Plasma Etch 업계에 종사하고있는 사원 입니다.

Plasma Etch시 Etch Rate가 Wafer Edge(주로 140mm이상)에 굉장히 민감한데

이 현상에 대한 해석을 어떻게 해야 좋을 지 모르겠습니다.

민감하다는 표현은 조건 튜닝시 Center나 Edge나 증가하거나 감소하는 현상은 동일하나

ER Map 전체를 봤을 때 Edge에 의해서 U자형(Edge Fast)이 되거나 그 반대 (Edge Low)가 되는 현상이 나타납니다.

Chamber Wall에 의한 현상으로 보기에는 Wafer 극 Edge 쪽만 해당되기에 아닐 것으로 예상합니다.

이 현상에 대한 해석이나 참고문헌등 도움이 될만한 자료를 알려주시면 감사하겠습니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [332] 102945
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 24689
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 61442
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 73484
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 105849
493 RPSC 관련 질문입니다. [플라즈마 발생과 쉬스 형성, 벽면 및 시료 demage] [2] 5097
492 플라즈마 색 관찰 [플라즈마 빛과 OES신호] [1] 4982
491 플라즈마 식각 공정 중 폴리머의 거동 [재료 표면 반응] [1] 4927
490 RF chamber에서.. particle(부유물) 와 RF reflect power연관성 [플라즈마 유전상수] [1] 4925
489 Dry Etching Uniformity 개선 방법 [장치 구조에 따른 공간 분포] [2] 4904
488 HF + LF 사용 중, LF와 POWER와의 관계에 대한 질문입니다. [Sputtering 및 particle issue] [1] 4791
487 Depostion 진행 중 matcher(shunt, series) 관계 질문 [Matcher와 VI sensor] [3] 4771
486 ESC 사용하는 PVD 에서 Center tap bias의 역할 4713
485 진공장치 챔버내 산소 또는 수분 제거 방법에 대해 [Chemisorption과 pruege gas] [1] 4591
484 ICP plasma에서 RF bias에 대한 문의가 있습니다 [Self bias 및 플라즈마 방전 매커니즘] [2] 4579
483 SiO2 박말 밀도와 반응성 간 상관 관계 질문 [세정 시간 및 식각 효율] [1] 4557
482 CCP/ICP 의 플라즈마 밀도/균일도 에 대해서 질문이 있습니다. [Plasma source와 loss] [3] 4524
481 고온의 플라즈마와 저온의 플라즈마의 차이 [플라즈마 물리/화학적 특성, 중성입자 거동 및 자기장 성질] [1] 4449
480 plasma sheath 두께의 영향에 대하여 질문드립니다. [Child-Langmuir sheath model] [2] 4429
479 플라즈마 임피던스와 Vpp가 관련이 있나요? [플라즈마 주파수와 Vpp, sheath] [1] 4390
478 Plasma 식각 test 관련 문의 [플라즈마 데이터 처리] [1] 4380
477 Descum 관련 문의 사항. [라디컬 및 이온 생성과 플라즈마 생성 메커니즘] [1] 4380
476 Plasma 표면 개질에 대해 질문드립니다. [O2 플라즈마와 Ar 플라즈마] [1] 4347
475 Gas 별 Plasma 색 관련 질문입니다. [Gas별 고유한 플라즈마 색] [1] 4330
474 RF Power와 균일도 연관성 질문드립니다 [고주파 플라즈마 반응 특성] [2] 4309

Boards


XE Login