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[필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내
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Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법
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개인정보 노출 주의 부탁드립니다.
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kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수
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질문하실 때 실명을 사용하여주세요.
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473 |
PECVD Precursor 별 Arcing 원인 [하전에 의한 전기장 형성 및 방전 시간]
[1] | 4216 |
472 |
Plasma Etch시 Wafer Edge 영향 [Standing wave 및 플라즈마 밀도 분포]
[1] | 4212 |
471 |
Vpp, Vdc 측정관련 문의 [Self bias와 DC offset]
[1] | 4211 |
470 |
CCP 구조가 ICP 구조보다 Arcing 발생에 더 취약한가요? [Breakdown 전기장, 아크 방전]
[3] | 4195 |
469 |
ICP-RIE process 및 plasma에 대해 질문있습니다. [Etch와 IEDF]
[2] | 4195 |
468 |
DC스퍼터링과 RF 스퍼터링에서의 처음 전자의 출처와 처음 이온의 생성 질문 [플라즈마 생성과 Sputtering]
[2] | 4185 |
467 |
dry etching중 온도, 진공도, glass상태에 따라 chucking force가 변화하는지요? [표면 하전 특성 및 chucking 불안정성]
[1] | 4165 |
466 |
the lines of magnetic induction are frozen into the perfectly conducting material에 대한 질문 [Ideal MHD plasma의 magnetic flux conservation]
[1] | 4108 |
465 |
Bias 관련 질문 드립니다. [Ion plasma frequency]
[1] | 4057 |
464 |
RF plasma 증착 시 arcing 관련하여 질문드립니다. [Arc와 cleaning]
[1] | 4030 |
463 |
RF matcher와 particle 관계 [DC glow 방전, 플라즈마 임피던스]
[2] | 4014 |
462 |
ESC Cooling gas 관련 [ESC 온도 제어]
[1] | 3955 |
461 |
CVD 공정에서의 self bias [이차 전자 생성, 입사 이온 에너지 분포]
[1] | 3920 |
460 |
Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련 [Sheath 전위 형성]
[3] | 3792 |
459 |
방전에서의 재질 질문입니다. [방전과 전압]
[1] | 3785 |
458 |
electron energy distribution에 대해서 질문드립니다. [Maxwallian EEDF]
[2] | 3730 |
457 |
matcher, ESC, Heater에 대해 질문 드립니다. [회로 모델 및 부품 impedance]
[3] | 3725 |
456 |
코로나 방전의 속도에 관하여 [코로나 방전의 이해]
[1] | 3719 |
455 |
Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [Flow rate와 moral ratio, resident time]
[1] | 3705 |
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Etcher Chamber Wall에 의도적으로 Polymer를 증착시키고 싶습니다. [ONO 공정 중 질화막 모니터링]
[2] | 3603 |
정의가 중요합니다. 고온과 저온은 우리가 생각하는 온도 범위와는 차이가 큽니다. 여기서는 주로 eV 에너지 단위를 사용해서 온도를 표시합니다. 일반적으로 온도는 플라즈마 전자의 온도로 가정해도 좋습니다.. 따라서 저온 플라즈마는 (<10eV) 정도의 전자의 열평형상태를 대표하는 온도이며, 이는 주로 산업용으로 쓰이는 플라즈마를 의미합니다. 전자에너지가 낮음은 플라즈마가 모두 이온화 되어 있지 않다는 의미이기 도하며, 이온화율을 1% 정도에서 10% 정도까지, 또는 그 미만으로 부분적으로 이온화된 상태 (partially ionization), 플라즈마 전자+이온+대부분의 중성입자 (라디털포함)으로 이뤄진 상태입니다. 반면 고온 플라즈마는 핵융합 플라즈마와 같이 전자 온도가 수십 keV를 넘는 플라즈마이며 이정도 온도를 가졌기에 대부분의 가스입자들이 완전히 이온화가 된 상태, fully ionization 상태를 의미하게 됩니다. 따라서 저온 플라즈마에서는 플라즈마의 물리적 특성과 함께 화학적 특성과 중성입자의 거동을 함께 고려해야 하며, 고온 플라즈마에서는 주로 물리적 특성과, 대부분이 자화된 상태로 구속되어 있으므로 자기장에서의 성질을 함께 고려해야 한다는 의미를 함축하고 있습니다.