다른 질문사항에 Matcher 매칭회로에서 Load, Tune에 관한 설명을 봤는데요

공정을 진행하다보면 간헐적으로 Load, Tune 값이 바뀌며 Vpp drop이 발생합니다.

PEALD 장비에서 Load와 Tune 값에 영향을 미치는 요소들이 뭐가 있을지 궁금합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [271] 76791
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20229
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57178
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68723
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92432
431 dry etching중 온도, 진공도, glass상태에 따라 chucking force가 변화하는지요? [1] 3527
430 Gas 별 Plasma 색 관련 질문입니다. [1] 3460
429 코로나 방전의 속도에 관하여... [1] 3444
428 Bias 관련 질문 드립니다. [1] 3423
427 RF plasma 증착 시 arcing 관련하여 질문드립니다. [1] 3421
426 plasma sheath 두께의 영향에 대하여 질문드립니다. [2] 3396
425 Etcher Chamber Wall에 의도적으로 Polymer를 증착시키고 싶습니다. [2] 3327
424 PP & PET 친수성과 접착성 유지 질문입니다. [1] 3326
423 RF Power와 균일도 연관성 질문드립니다. [2] 3319
422 PECVD Precursor 별 Arcing 원인 [1] 3307
421 electron energy distribution에 대해서 질문드립니다. [2] 3213
420 Matcher의 Load/Tune Position 거동에 관해 질문이 있습니다. [2] 3209
419 matcher, ESC, Heater에 대해 질문 드립니다. [3] 3193
418 아르곤이나 기타 플라즈마 토치에 소량의 수증기를 집어넣으면 온도가 떨어지는 현상에 대해서 3166
417 M/W, RF의 Plasma에 의한 Ashing 관련 문의드립니다. [1] 3165
416 CVD 공정에서의 self bias [1] 3116
415 Plasma 에칭 후 정전기 처리 [3] 3053
414 Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [1] 2985
413 Plasma etcher particle 원인 [1] 2981
412 RF matcher와 particle 관계 [2] 2937

Boards


XE Login