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[필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내
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Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법
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개인정보 노출 주의 부탁드립니다.
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kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수
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질문하실 때 실명을 사용하여주세요.
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Plasma etcher particle 원인 [Particle issue와 wafer의 sheath]
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PP & PET 친수성과 접착성 유지 질문입니다. [소수/친수성 조절 연구]
[1] | 3584 |
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M/W, RF의 Plasma에 의한 Ashing 관련 문의드립니다. [DC 글로우 방전 및 Breakdown]
[1] | 3547 |
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VI sensor를 활용한 진단 방법 [Monitoring과 target]
[2] | 3394 |
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Plasma 에칭 후 정전기 처리 [표면 전위 생성 및 방전]
[3] | 3388 |
448 |
PE 모드와 RIE 모드에서 쉬스 구역에 대한 질문 [전극 표면 전위]
[1] | 3362 |
447 |
임피던스 매칭회로 [전기공학 회로 이론 및 impedance matching]
[1] | 3349 |
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수소 플라즈마 관련해서 질문이 있습니다. [MFC와 H2 gas retention]
[3] | 3300 |
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RF/LF에 따른 CVD 막질 UNIFORMITY [LF와 Sheath]
[1] | 3257 |
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아르곤이나 기타 플라즈마 토치에 소량의 수증기를 집어넣으면 온도가 떨어지는 현상에 대해서
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HF+LF 사용 중. HF Power 증가 시 Depostion Rate 감소 현상 문의 [전자의 에너지와 중성입자와의 충돌]
[1] | 3229 |
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HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요?
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[RIE] reactice, non-reactice ion의 역할 [Dissociation과 Ar plasma]
[1] | 3205 |
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Edge ring 없이 ESC를 구현 가능한지 궁금해서 여쭤봅니다. [웨이퍼 근방 쉬스 특성, Edge ring]
[2] | 3195 |
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SI Wafer Broken [Chucking 구동 원리]
[2] | 3174 |
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Al Dry Etch 후 잔류 Cl 이온 제어를 위한 후처리 방법 [Polymer coating 식각]
[1] | 3155 |
437 |
RIE에 관한 질문이 있습니다. [Sheath 이온 거동 및 bias power]
[1] | 3096 |
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Ar과 O2 plasma source에 따른 ignition condition에 대하여 질문 있습니다. [Step ionization, Dissociative ionization]
[1] | 3054 |
435 |
ECR 플라즈마에 대해서 질문드립니다. [ECR과 uniformity]
[1] | 3042 |
434 |
Ashing 공정에 필요한 O2plasma에 대해 궁금한 점이 있습니다. [전자 충돌 이온화 반응 해리 반응 흡착 반응]
[1] | 3012 |
저온 플라즈마의 단점이라고 하셨는데 저온 플라즈마를 어디에 활용할 때의 단점이라는 뜻인지,
또 저온이라는 것이 무엇 대비 얼마나 온도가 낮은 플라즈마를 뜻하는 것인지 명확한 질문 부탁합니다.