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[필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내
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Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법
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개인정보 노출 주의 부탁드립니다.
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kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수
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질문하실 때 실명을 사용하여주세요.
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플라즈마 에칭과 표면처리의 차이점 질문드립니다. [Cleaning, sputter etching, RIE]
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[질문] Plasma 장비에 대한 Monitoring 질문 [OES, VI 신호 및 가상계측 인자]
[2] | 2401 |
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쉬스(sheath)에서 전자와 이온의 감소 관련하여 질문 [Floating sheath]
[1] | 2401 |
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Edge ring과 플라즈마 밀도 균일성 [플라즈마 생성 분포와 sheath 전기장]
[1] | 2407 |
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양극 코로나 방전에 대한 질문입니다. [이차 전자의 방출 특성]
[1] | 2412 |
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안녕하세요 ICP dry etching 관련 질문사항드립니다! [N2 플라즈마]
[1] | 2421 |
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플라즈마 self bias 값과 압력, 파워의 상관관계에 대해 질문있습니다. [이온과 전자의 속도 차이와 Gate valve의 위치]
[1] | 2435 |
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chamber impedance [장비 임피던스 데이터]
[1] | 2444 |
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Ta deposition시 DC Source Sputtreing
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플라즈마 세라믹코팅후 붉은 이유는?
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식각 시 나타나는 micro-trench 문제 [소자 식각 데미지]
[1] | 2533 |
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플라즈마 관련 기초지식 [DC glow discharge]
[1] | 2555 |
441 |
analog tuner관련해서 질문드립니다. [박막 플라즈마 및 tunning 원리]
[1] | 2570 |
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부도체를 타겟으로 한 플라즈마 형성 원리 [Self bias의 이해]
[1] | 2589 |
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압력, 유량과 residence time에 대해 질문있습니다. [MFC와 residence time]
[1] | 2603 |
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Remote Plasma가 가능한 이온 [Remote plasma와 diffusion]
[1] | 2616 |
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CVD (CCP) 공정의 Chamber seasoning과 플라즈마 밀도 [Plasma information variable model]
[1] | 2623 |
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Wafer particle 성분 분석 [플라즈마 세정]
[1] | 2626 |
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plasma etching을 관련 문의드립니다. [반도체 공동 연구소]
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플라즈마 실험을 하고 싶은 한 고등학생입니다. [Experiment와 KFE]
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정의가 중요합니다. 고온과 저온은 우리가 생각하는 온도 범위와는 차이가 큽니다. 여기서는 주로 eV 에너지 단위를 사용해서 온도를 표시합니다. 일반적으로 온도는 플라즈마 전자의 온도로 가정해도 좋습니다.. 따라서 저온 플라즈마는 (<10eV) 정도의 전자의 열평형상태를 대표하는 온도이며, 이는 주로 산업용으로 쓰이는 플라즈마를 의미합니다. 전자에너지가 낮음은 플라즈마가 모두 이온화 되어 있지 않다는 의미이기 도하며, 이온화율을 1% 정도에서 10% 정도까지, 또는 그 미만으로 부분적으로 이온화된 상태 (partially ionization), 플라즈마 전자+이온+대부분의 중성입자 (라디털포함)으로 이뤄진 상태입니다. 반면 고온 플라즈마는 핵융합 플라즈마와 같이 전자 온도가 수십 keV를 넘는 플라즈마이며 이정도 온도를 가졌기에 대부분의 가스입자들이 완전히 이온화가 된 상태, fully ionization 상태를 의미하게 됩니다. 따라서 저온 플라즈마에서는 플라즈마의 물리적 특성과 함께 화학적 특성과 중성입자의 거동을 함께 고려해야 하며, 고온 플라즈마에서는 주로 물리적 특성과, 대부분이 자화된 상태로 구속되어 있으므로 자기장에서의 성질을 함께 고려해야 한다는 의미를 함축하고 있습니다.