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[필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내
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공지 |
Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법
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공지 |
개인정보 노출 주의 부탁드립니다.
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kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수
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공지 |
질문하실 때 실명을 사용하여주세요.
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플라즈마 깜빡임에 대해 질문이 있습니다.
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Wafer particle 성분 분석
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교수님 안녕하세요, icp 관련 질문이 있습니다.
[2] | 2331 |
414 |
플라즈마 세라믹코팅후 붉은 이유는?
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413 |
RF 주파수와 공정 Chamber 크기의 상관관계
[1] | 2333 |
412 |
PRECOATING 공정에서 SHOWERHEAD <-> STAGE HEATER 간 GAP 과 DEPO 막질의 THK 와의 연관성....
[1] | 2335 |
411 |
Ar과 O2 plasma source에 따른 ignition condition에 대하여 질문 있습니다.
[1] | 2335 |
410 |
Etch공정(PE mode) Vpp 변동관련.
[1] | 2338 |
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DRY Etcher Alram : He Flow 관점 문의 드립니다.
[1] | 2344 |
408 |
안녕하세요? 임피던스 매칭관련 질문드립니다.
[1] | 2347 |
407 |
임피던스 실수부에 대해 궁금한 점이 있습니다.
[4] | 2348 |
406 |
CCP에서 전극에 쌓이는 막질에 의한 Capacitance 변화가 궁금합니다
[1] | 2355 |
405 |
Ta deposition시 DC Source Sputtreing
| 2362 |
404 |
RPS를 이용한 SIO2 에칭
[1] | 2396 |
403 |
RF/LF에 따른 CVD 막질 UNIFORMITY
[1] | 2428 |
402 |
plasma etching을 관련 문의드립니다.
[1] | 2434 |
401 |
Load position 관련 질문 드립니다.
[1] | 2448 |
400 |
[RIE] reactive, non-reactive ion의 역할
[1] | 2473 |
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안녕하세요. 교수님 ICP관련하여 문의드립니다.
[2] | 2484 |
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플라즈마 방전을 위한 RF Power 공급시점에서의 반사파에 관해서 질문드립니다.
[2] | 2505 |
정의가 중요합니다. 고온과 저온은 우리가 생각하는 온도 범위와는 차이가 큽니다. 여기서는 주로 eV 에너지 단위를 사용해서 온도를 표시합니다. 일반적으로 온도는 플라즈마 전자의 온도로 가정해도 좋습니다.. 따라서 저온 플라즈마는 (<10eV) 정도의 전자의 열평형상태를 대표하는 온도이며, 이는 주로 산업용으로 쓰이는 플라즈마를 의미합니다. 전자에너지가 낮음은 플라즈마가 모두 이온화 되어 있지 않다는 의미이기 도하며, 이온화율을 1% 정도에서 10% 정도까지, 또는 그 미만으로 부분적으로 이온화된 상태 (partially ionization), 플라즈마 전자+이온+대부분의 중성입자 (라디털포함)으로 이뤄진 상태입니다. 반면 고온 플라즈마는 핵융합 플라즈마와 같이 전자 온도가 수십 keV를 넘는 플라즈마이며 이정도 온도를 가졌기에 대부분의 가스입자들이 완전히 이온화가 된 상태, fully ionization 상태를 의미하게 됩니다. 따라서 저온 플라즈마에서는 플라즈마의 물리적 특성과 함께 화학적 특성과 중성입자의 거동을 함께 고려해야 하며, 고온 플라즈마에서는 주로 물리적 특성과, 대부분이 자화된 상태로 구속되어 있으므로 자기장에서의 성질을 함께 고려해야 한다는 의미를 함축하고 있습니다.