온도의 차이 말고도 다른 차이가 있나요?

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공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 73315
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453 PP & PET 친수성과 접착성 유지 질문입니다. [소수/친수성 조절 연구] [1] 3573
452 Plasma etcher particle 원인 [Particle issue와 wafer의 sheath] [1] 3571
451 M/W, RF의 Plasma에 의한 Ashing 관련 문의드립니다. [DC 글로우 방전 및 Breakdown] [1] 3536
450 Plasma 에칭 후 정전기 처리 [표면 전위 생성 및 방전] [3] 3378
449 VI sensor를 활용한 진단 방법 [Monitoring과 target] [2] 3372
448 PE 모드와 RIE 모드에서 쉬스 구역에 대한 질문 [전극 표면 전위] [1] 3348
447 임피던스 매칭회로 [전기공학 회로 이론 및 impedance matching] [1] file 3318
446 수소 플라즈마 관련해서 질문이 있습니다. [MFC와 H2 gas retention] [3] 3278
445 RF/LF에 따른 CVD 막질 UNIFORMITY [LF와 Sheath] [1] 3235
444 아르곤이나 기타 플라즈마 토치에 소량의 수증기를 집어넣으면 온도가 떨어지는 현상에 대해서 3235
443 HF+LF 사용 중. HF Power 증가 시 Depostion Rate 감소 현상 문의 [전자의 에너지와 중성입자와의 충돌] [1] 3222
442 HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요? 3210
441 Edge ring 없이 ESC를 구현 가능한지 궁금해서 여쭤봅니다. [웨이퍼 근방 쉬스 특성, Edge ring] [2] 3190
440 [RIE] reactice, non-reactice ion의 역할 [Dissociation과 Ar plasma] [1] 3186
439 SI Wafer Broken [Chucking 구동 원리] [2] 3142
438 Al Dry Etch 후 잔류 Cl 이온 제어를 위한 후처리 방법 [Polymer coating 식각] [1] 3113
437 RIE에 관한 질문이 있습니다. [Sheath 이온 거동 및 bias power] [1] 3085
436 Ar과 O2 plasma source에 따른 ignition condition에 대하여 질문 있습니다. [Step ionization, Dissociative ionization] [1] 3042
435 ECR 플라즈마에 대해서 질문드립니다. [ECR과 uniformity] [1] 3022
434 플라즈마 압력에 대하여 [Glow discharge와 light] [1] 2955

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