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[필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내
[271]
| 76751 |
공지 |
Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법
| 20217 |
공지 |
개인정보 노출 주의 부탁드립니다.
| 57170 |
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kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수
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공지 |
질문하실 때 실명을 사용하여주세요.
[3]
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390 |
PR wafer seasoning
[1] | 2704 |
389 |
플라즈마 압력에 대하여
[1] | 2727 |
388 |
[Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련]
[3] | 2751 |
387 |
PE 모드와 RIE 모드에서 쉬스 구역에 대한 질문
[1] | 2768 |
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고온의 플라즈마와 저온의 플라즈마의 차이
[1] | 2786 |
385 |
임피던스 매칭회로
[1] | 2805 |
384 |
Edge ring 없이 ESC를 구현 가능한지 궁금해서 여쭤봅니다.
[2] | 2823 |
383 |
VI sensor를 활용한 진단 방법
[2] | 2874 |
382 |
HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요?
| 2874 |
381 |
HF+LF 사용 중. HF Power 증가 시 Deposition Rate 감소 현상 문의
[1] | 2894 |
380 |
RF matcher와 particle 관계
[2] | 2927 |
379 |
Plasma etcher particle 원인
[1] | 2972 |
378 |
Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다.
[1] | 2976 |
377 |
Plasma 에칭 후 정전기 처리
[3] | 3052 |
376 |
CVD 공정에서의 self bias
[1] | 3106 |
375 |
M/W, RF의 Plasma에 의한 Ashing 관련 문의드립니다.
[1] | 3162 |
374 |
아르곤이나 기타 플라즈마 토치에 소량의 수증기를 집어넣으면 온도가 떨어지는 현상에 대해서
| 3166 |
373 |
matcher, ESC, Heater에 대해 질문 드립니다.
[3] | 3188 |
372 |
Matcher의 Load/Tune Position 거동에 관해 질문이 있습니다.
[2] | 3203 |
371 |
electron energy distribution에 대해서 질문드립니다.
[2] | 3205 |
정의가 중요합니다. 고온과 저온은 우리가 생각하는 온도 범위와는 차이가 큽니다. 여기서는 주로 eV 에너지 단위를 사용해서 온도를 표시합니다. 일반적으로 온도는 플라즈마 전자의 온도로 가정해도 좋습니다.. 따라서 저온 플라즈마는 (<10eV) 정도의 전자의 열평형상태를 대표하는 온도이며, 이는 주로 산업용으로 쓰이는 플라즈마를 의미합니다. 전자에너지가 낮음은 플라즈마가 모두 이온화 되어 있지 않다는 의미이기 도하며, 이온화율을 1% 정도에서 10% 정도까지, 또는 그 미만으로 부분적으로 이온화된 상태 (partially ionization), 플라즈마 전자+이온+대부분의 중성입자 (라디털포함)으로 이뤄진 상태입니다. 반면 고온 플라즈마는 핵융합 플라즈마와 같이 전자 온도가 수십 keV를 넘는 플라즈마이며 이정도 온도를 가졌기에 대부분의 가스입자들이 완전히 이온화가 된 상태, fully ionization 상태를 의미하게 됩니다. 따라서 저온 플라즈마에서는 플라즈마의 물리적 특성과 함께 화학적 특성과 중성입자의 거동을 함께 고려해야 하며, 고온 플라즈마에서는 주로 물리적 특성과, 대부분이 자화된 상태로 구속되어 있으므로 자기장에서의 성질을 함께 고려해야 한다는 의미를 함축하고 있습니다.