질문하실 때 실명을 사용하여주세요.

2010.11.25 15:38

관리자 조회 수:93631 추천:380

플라즈마에 관심있으신 모든 분이 활용하고 플라즈마의 지식을 공유할수 있는 공간을 제공한다라는 원칙을 갖고 있습니다. 따라서 의견을 개진 하실 때는 자신의 이름을 분명히 밝혀주셔야 합니다. 그럼으로써 서로 알고 있는 플라즈마의 지식을 자유롭게 공유할 수 있을 것 입니다. 이 사항을 협조하여 주지기 바랍니다. 본인의 이름을 밝히지 않는 사람의 의견은 일주일 이내에 내용이 삭제됩니다.

이 게시물을
수정 삭제 목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [303] 78037
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20847
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57737
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 69253
» 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 93631
419 안녕하세요. 교수님 ICP관련하여 문의드립니다. [2] 2532
418 안녕하세요? 임피던스 매칭관련 질문드립니다. [1] 2520
417 Load position 관련 질문 드립니다. [1] 2510
416 Ar과 O2 plasma source에 따른 ignition condition에 대하여 질문 있습니다. [1] 2500
415 RPS를 이용한 SIO2 에칭 [1] 2476
414 RF 주파수와 공정 Chamber 크기의 상관관계 [1] 2469
413 plasma etching을 관련 문의드립니다. [1] 2467
412 임피던스 실수부에 대해 궁금한 점이 있습니다. [4] 2454
411 DRY Etcher Alram : He Flow 관점 문의 드립니다. [1] 2452
410 플라즈마 깜빡임에 대해 질문이 있습니다. [1] 2446
409 PRECOATING 공정에서 SHOWERHEAD <-> STAGE HEATER 간 GAP 과 DEPO 막질의 THK 와의 연관성.... [1] 2444
408 CCP에서 전극에 쌓이는 막질에 의한 Capacitance 변화가 궁금합니다 [1] 2440
407 N2 Plasma 상태에 대해서 질문 드립니다. [1] 2427
406 교수님 안녕하세요, icp 관련 질문이 있습니다. [2] 2416
405 sputtering gas에 따른 플라즈마 데미지 [1] 2407
404 Etch공정(PE mode) Vpp 변동관련. [1] 2406
403 Dry etch 할때 센터와 사이드 etch rate [1] 2404
402 ECR 플라즈마에 대해서 질문 드립니다. [1] 2381
401 Wafer particle 성분 분석 [1] 2379
400 Ta deposition시 DC Source Sputtreing 2376
쓰기
태그

Boards

XE Login