질문하실 때 실명을 사용하여주세요.

2010.11.25 15:38

관리자 조회 수:92498 추천:380

플라즈마에 관심있으신 모든 분이 활용하고 플라즈마의 지식을 공유할수 있는 공간을 제공한다라는 원칙을 갖고 있습니다. 따라서 의견을 개진 하실 때는 자신의 이름을 분명히 밝혀주셔야 합니다. 그럼으로써 서로 알고 있는 플라즈마의 지식을 자유롭게 공유할 수 있을 것 입니다. 이 사항을 협조하여 주지기 바랍니다. 본인의 이름을 밝히지 않는 사람의 의견은 일주일 이내에 내용이 삭제됩니다.

이 게시물을
수정 삭제 목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [271] 76794
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20230
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57178
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68723
» 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92498
391 Load position 관련 질문 드립니다. [1] 2441
390 plasma etching을 관련 문의드립니다. [1] 2433
389 RF/LF에 따른 CVD 막질 UNIFORMITY [1] 2411
388 RPS를 이용한 SIO2 에칭 [1] 2392
387 Ta deposition시 DC Source Sputtreing 2361
386 CCP에서 전극에 쌓이는 막질에 의한 Capacitance 변화가 궁금합니다 [1] 2350
385 임피던스 실수부에 대해 궁금한 점이 있습니다. [4] 2341
384 안녕하세요? 임피던스 매칭관련 질문드립니다. [1] 2336
383 DRY Etcher Alram : He Flow 관점 문의 드립니다. [1] 2336
382 플라즈마 세라믹코팅후 붉은 이유는? 2331
381 Etch공정(PE mode) Vpp 변동관련. [1] 2331
380 RF 주파수와 공정 Chamber 크기의 상관관계 [1] 2329
379 Ar과 O2 plasma source에 따른 ignition condition에 대하여 질문 있습니다. [1] 2328
378 PRECOATING 공정에서 SHOWERHEAD <-> STAGE HEATER 간 GAP 과 DEPO 막질의 THK 와의 연관성.... [1] 2324
377 Wafer particle 성분 분석 [1] 2323
376 교수님 안녕하세요, icp 관련 질문이 있습니다. [2] 2319
375 sputtering gas에 따른 플라즈마 데미지 [1] 2317
374 플라즈마 깜빡임에 대해 질문이 있습니다. [1] 2312
373 RF frequency와 다른 변수 상관관계 질문 2282
372 Dry etch 할때 센터와 사이드 etch rate [1] 2276
쓰기
태그

Boards

XE Login