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[필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내
[275]
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공지 |
Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법
| 20242 |
공지 |
개인정보 노출 주의 부탁드립니다.
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kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수
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공지 |
질문하실 때 실명을 사용하여주세요.
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355 |
ICP-RIE process 및 plasma에 대해 질문있습니다.
[2] | 3656 |
354 |
Vpp, Vdc 측정관련 문의
[1] | 3705 |
353 |
Descum 관련 문의 사항.
[1] | 3729 |
352 |
CCP/ICP 의 플라즈마 밀도/균일도 에 대해서 질문이 있습니다.
[3] | 3734 |
351 |
진공장치 챔버내 산소 또는 수분 제거 방법에 대해
[1] | 3786 |
350 |
RIE에서 O2역할이 궁금합니다
[4] | 3811 |
349 |
DC스퍼터링과 RF스퍼터링에서의 처음 전자의 출처와 처음 이온의 생성 질문
[2] | 3828 |
348 |
HF + LF 사용 중, LF와 POWER와의 관계에 대한 질문입니다.
[1] | 3930 |
347 |
Deposition 진행 중 matcher(shunt,series) 관계 질문
[3] | 3942 |
346 |
Plasma 식각 test 관련 문의
[1] | 3969 |
345 |
ICP plasma에서 RF bias에 대한 문의가 있습니다
[2] | 3974 |
344 |
the lines of magnetic induction are frozen into the perfectly conducting material에 대한 질문
[1] | 3978 |
343 |
RPSC 관련 질문입니다.
[2] | 4030 |
342 |
SiO2 박말 밀도와 반응성 간 상관 관계 질문
[1] | 4159 |
341 |
RF chamber에서.. particle(부유물) 와 RF reflect power연관성
[1] | 4196 |
340 |
플라즈마 색 관찰
[1] | 4278 |
339 |
Dry Etching Uniformity 개선 방법
[2] | 4285 |
338 |
ESC 사용하는 PVD 에서 Center tap bias의 역할
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337 |
챔버내 Arcing 발생 개선안에 대해 질문드립니다.
[3] | 4509 |
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Sheath 길이와 전자의 온도 및 MFP간의 관계에 대해 질문 드립니다.
[1] | 4832 |
정의가 중요합니다. 고온과 저온은 우리가 생각하는 온도 범위와는 차이가 큽니다. 여기서는 주로 eV 에너지 단위를 사용해서 온도를 표시합니다. 일반적으로 온도는 플라즈마 전자의 온도로 가정해도 좋습니다.. 따라서 저온 플라즈마는 (<10eV) 정도의 전자의 열평형상태를 대표하는 온도이며, 이는 주로 산업용으로 쓰이는 플라즈마를 의미합니다. 전자에너지가 낮음은 플라즈마가 모두 이온화 되어 있지 않다는 의미이기 도하며, 이온화율을 1% 정도에서 10% 정도까지, 또는 그 미만으로 부분적으로 이온화된 상태 (partially ionization), 플라즈마 전자+이온+대부분의 중성입자 (라디털포함)으로 이뤄진 상태입니다. 반면 고온 플라즈마는 핵융합 플라즈마와 같이 전자 온도가 수십 keV를 넘는 플라즈마이며 이정도 온도를 가졌기에 대부분의 가스입자들이 완전히 이온화가 된 상태, fully ionization 상태를 의미하게 됩니다. 따라서 저온 플라즈마에서는 플라즈마의 물리적 특성과 함께 화학적 특성과 중성입자의 거동을 함께 고려해야 하며, 고온 플라즈마에서는 주로 물리적 특성과, 대부분이 자화된 상태로 구속되어 있으므로 자기장에서의 성질을 함께 고려해야 한다는 의미를 함축하고 있습니다.